اینتل جزئیات فناوری ساخت پیشرفته 18A خود را در سمپوزیر VLSI 2025 منتشر کرد. این فناوری با استفاده از ابتکارهایی مثل ترانزیستورهای RibbonFET و انتقال توان از طریق PowerVia، بهبود‌های قابل توجهی در عملکرد، مصرف انرژی و تراکم ترانزیستور ارائه می‌دهد.
اینتل در سمپوزیوم VLSI 2025 که جدیدترین فناوری‌های ساخت تراشه در آن ارائه می‌شود، مزایای فناوری ساخت 18A خود را در مقایسه با فرایند تولید Intel 3 به تفصیل شرح داد. همانطور که انتظار می‌رفت، این گره تولیدی جدید، بهبود‌های قابل توجهی در معیارهای توان، عملکرد و مساحت (PPA) ارائه خواهد داد و بدین ترتیب مزایای ملموسی هم برای محصولات کلاینت و هم برای محصولات دیتاسنتر فراهم می‌کند.
اینتل ادعا می‌کند که فرایند ساخت 18A این شرکت، در مقایسه با فناوری Intel 3، برای یک زیربلاک هسته استاندارد Arm، ۲۵٪ عملکرد بیشتر در همان ولتاژ (۱.۱ ولت)، و همچنین ۳۶٪ کاهش توان در فرکانس مشابه و ولتاژ ۱.۱ ولت ارائه می‌دهد. در ولتاژ پایین‌تر (۰.۷۵ ولت)، Intel 18A عملکرد ۱۸٪ بالاتر و کاهش توان ۳۸٪ را فراهم می‌کند.
فناوری ساخت 18A اینتل اولین فناوری ساخت تراشه این شرکت است که بر ترانزیستورهای RibbonFET با ساختار Gate-All-Around (GAA) تکیه دارد و از شبکه انتقال توان از پشت تراشه یا BSPDN بهره می‌برد.
استفاده از PowerVia BSPDN با جابجایی سیم‌کشی‌های انتقال توان از سمت جلوی مدار مجتمع به پشت آن، فضای بیشتری را برای مسیریابی سیگنال‌های داده آزاد کرده و چیدمان‌های فشرده‌تری را ممکن کرده است؛ به طوری که سلول‌های استاندارد مشابه برای تراشه‌های با تراکم بالا (HD) و عملکرد بالا (HP) تا ۲۵ درصد فضای کمتری را اشغال می‌کنند. این پیشرفت‌ها مجموعاً Intel 18A را قادر می‌سازند تا عملکرد و راندمان انرژی بهتری ارائه دهد و از طراحی‌های تراشه‌های پیشرفته‌تر و فشرده‌تر پشتیبانی کند.
گزارش‌ها حاکی از آن است که اینتل در مسیر آغاز تولید انبوه چیپلت‌های پردازشی برای پردازنده‌های نسل بعد Panther Lake با فناوری 18A است که در اواخر سال جاری به بازار عرضه خواهد شد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت