یکی از بزرگترین تولیدکنندگان تجهیزات تراشهسازی چین، مدعی دستیابی به یک فرایند ساخت جدید برای لایههای حافظه DRAM سهبعدی شده است. این فناوری میتواند به شرکتهایی مانند CXMT برای توسعه نسل جدید حافظهها بدون وابستگی به تجهیزات پیشرفته لیتوگرافی EUV کمک کند.
افزایش تراکم ترانزیستورهای تراشه، معمولاً از طریق کوچکتر کردن آنها صورت میگیرد که دستگاههای لیتوگرافی پیشرفته مانند EUV بخش مهمی از این فرایند به شمار میروند. اما در حضور تحریمهای غرب علیه صنایع نیمههادی چین، دسترسی به دستگاههای EUV برای شرکتهای چینی عملاً غیر ممکن است. بنابراین جای تعجب نیست که چینیها به دنبال راههای دیگری برای افزایش تراکم تراشهها بروند.
در همین رابطه بخوانید:
- چینیها عقبماندگی در لیتوگرافی EUV را با چیدن تراشهها روی هم جبران میکنند
- چین پرفروشترین دستگاه لیتوگرافی ASML را کپی کرد؛ شروع تولید انبوه در سال جاری
روش جدید برای ساخت تراشههای سهبعدی
بنابر گزارش WCCFtech، پژوهش جدید شرکت Naura Technology Group، از مهمترین سازندگان تجهزات تراشهسازی چین، که در کنفرایس «علم و فناوری مدارها مجتمع» منتشر شده، روی یکی از چالشهای اصلی ساخت DRAM سهبعدی تمرکز دارد: فرایند حکاکی (Etching) یکنواخت در تعداد زیادی از لایههای عمودی. این رویکرد بهجای اتکا به کوچکتر کردن مدارها در سطح افقی تراشه، افزایش تراکم را از طریق ساختارهای عمودی دنبال میکند.
Naura در مقاله خود فرایندی برای حکاکی یک ساختار ۶۴ لایهای متشکل از لایههای متناوب سیلیکون (Si) و سیلیکون-ژرمانیوم (SiGe) تشریح کرده است. در معماری DRAM سهبعدی، حذف انتخابی لایههای SiGe فضای لازم برای ایجاد خطوط و گیتهای حافظه را فراهم میکند.
مشکل اصلی این فرایند، آسیب دیدن لایههای مجاور سیلیکون، تجمع ضایعات جانبی در قسمتهای پایینی ساختار و کاهش دسترسی مواد شیمیایی به لایههای عمیقتر است. Naura میگوید فناوری جدیدش برای رفع این مشکلات از یک فرایند حکاکی دو مرحلهای استفاده میکند.
در مرحله نخست، رادیکالهای خنثی فلوئور به لایههای SiGe اعمال میشوند. به گفته شرکت، این فرایند موجب تشکیل یک لایه محافظ از فلوراید ژرمانیوم روی سیلیکون میشود و از آسیبدیدن آن جلوگیری میکند. در مرحله دوم نیز ضایعات جانبی با استفاده از یک فرایند تخلیه مبتنی بر پلاسما از ساختار خارج میشوند تا مشکل تجمع مواد در عمق لایهها کاهش یابد.
Naura مدعی است این روش به گزینشپذیری بیش از ۵۰۰ به ۱ میان Si و SiGe دست یافته است. یعنی سرعت حکاکی SiGe بیش از ۵۰۰ برابر سیلیکون است. همچنین، میزان کاهش ضخامت لایه سیلیکونی کمتر از ۱۰ آنگستروم گزارش شده است.
این شرکت همچنین ادعا میکند یکنواختی ساختار به بیش از ۹۵ درصد رسیده است. به این معنا که در ساختاری با ضخامت ۲۰۰ نانومتر در بخش بالایی، ضخامت لایه پایینی حداقل حدود ۱۹۰ نانومتر باقی میماند؛ آن هم در سراسر ۶۴ جفت لایه.
اگر این نتایج در تولید انبوه نیز قابل تکرار باشند، فناوری Naura میتواند یکی از موانع مهم توسعه DRAM سهبعدی در چین را برطرف کند و به شرکتهایی مانند CXMT امکان دهد با تکیه بیشتر بر ساختار عمودی، بخشی از محدودیتهای ناشی از نبود تجهیزات پیشرفته EUV را دور بزنند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت