سامسونگ در رویداد SEMICON 2026 در تایوان از نقشه راه جدید خود در حوزه حافظه رونمایی کرد. تمرکز اصلی غول فناوری کرهای بر معماری جدید HBM5 و فناوری مورد انتظار zHBM خواهد بود که با اهداف و انتظاراتی بلندپروازانه معرفی شدند.
تولد HBM5: دو برابر سریعتر، بهینهتر و مبتنی بر لیتوگرافی ۲ نانومتری
طبق اعلام سامسونگ، حافظههای HBM5 با هدف دستیابی به دو برابر عملکرد بهتر و ۲۰ درصد افزایش بهرهوری انرژی نسبت به HBM4E طراحی شدهاند. همچنین مقاومت حرارتی در این نسل ۲۰ درصد کاهش یافته است.
از تغییرات کلیدی این معماری میتوان به ارتقای تراشه پایه (Base Die) از لیتوگرافی ۴ نانومتری به فناوری ۲ نانومتری سامسونگ اشاره کرد. این حافظهها در پیکربندیهای ۱۲، ۱۶ و ۲۰ لایهای عرضه خواهند شد و انتظار میرود تولید انبوه آنها در حوالی سال ۲۰۲۸ آغاز شود. سامسونگ پیشتر در کنفرانس Hot Chips 2026 تأیید کرده بود که حافظههای HBM4E با سرعت ۱۶ گیگابیت بر ثانیه (به ازای هر پین) روانه بازار میشوند. برای مقایسه، نسل فعلی HBM4 به سرعت ۱۱.۷ گیگابیت بر ثانیه میرسد.
معماری zHBM: جهش ۸ برابری عملکرد با طراحی رادیکال
فناوری zHBM سامسونگ اما رویکردی انقلابی دارد. در این معماری، برخلاف حافظههای HBM متداول که در کنار شتابدهنده قرار میگیرند، حافظه مستقیماً روی پردازنده مونتاژ میشود. این طراحی با کوتاهتر کردن مسیر انتقال داده، پهنای باند و کارایی را به شکل قابل توجهی افزایش میدهد.
سامسونگ برای zHBM دستیابی به هشت برابر عملکرد خام و سه برابر بهرهوری انرژی نسبت به HBM4E را هدفگذاری کرده است. ضمن اینکه مقاومت حرارتی نیز بین ۷۵ تا ۹۰ درصد کاهش خواهد یافت. اولین مدلهای مفهومی zHBM پیشتر معرفی شدهاند و انتظار میرود این معماری کاملاً جدید، پس از سال ۲۰۲۹ روانه بازار شود.
به نظر میرسد بازنگری در معماری HBM به مسیر اصلی صنعت نیمههادی تبدیل شده است. انویدیا نیز اخیراً حافظه سفارشی NVHBM خود را با ایده انتقال کنترلر حافظه به تراشه پایه HBM معرفی کرده بود.
در همین رابطه بخوانید:
- مهندسی مجدد انویدیا برای فناوری حافظه HBM مخصوص عصر هوش مصنوعی؛ با NVHBM آشنا شوید
آینده NAND در سایه سنگین رقبا
در بخش حافظههای ذخیرهسازی، سامسونگ در حال توسعه فناوری zNAND-O است که احتمالاً در سال ۲۰۲۸ به مرحله نمونهبرداری میرسد. هدف این شرکت دستیابی به ۱۰ برابر چگالی بیت بیشتر نسبت به حافظههای DRAM و ۷ برابر پهنای باند بالاتر است، در حالی که بهرهوری انرژی در سطح NANDهای معمولی باقی بماند.
با این حال، رقابت در این بازار بهشدت داغ است. سامسونگ در این مسیر تنها نباید نگران رقیب هموطن خود یعنی SK Hynix باشد، چرا که شرکت چینی YMTC اخیراً هدف بلندپروازانهای را برای پشت سر گذاشتن هر دو غول کرهای تا پایان سال ۲۰۲۷ اعلام کرده است.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت