نسخه جدید پردازنده موبایل Kirin با روشی مشابه پردازندههای Ryzen X3D ساخته میشوند. اما نه برای دستیابی به حافظه کش اضافی، بلکه برای دوبرابر کردن چگالی ترانزیستورها بدون دسترسی به جدیدترین دستگاههای لیتوگرافی ASML.
شرکت هواوی در یک مقاله پژوهشی جزئیات فناوری Hybrid Bonding را منتشر کرده که قرار است در تراشه Kirin 2026 برای پیادهسازی طراحی سهبعدی (3D Stacking) به کار گرفته شود. این فناوری میتواند مسیر تازهای برای افزایش عملکرد و بهرهوری تراشههای موبایلی باز کند. آن هم در شرایطی که این شرکت همچنان به تجهیزات پیشرفته لیتوگرافی EUV دسترسی ندارد.
هواوی طی ارائهای با عنوان LogicFolding Design پیشتر چشمانداز خود برای ساخت تراشههای چند لایه را به نمایش گذاشته بود. اکنون نیز در مقاله جدید این شرکت، نحوه استفاده از فناوری Hybrid Bonding تشریح شده است. این روش با ایجاد اتصالات عمودی بسیار متراکم میان لایههای مختلف تراشه، امکان افزایش چگالی ترانزیستورها را بدون نیاز به فرآیندهای پیشرفته ساخت فراهم میکند.
طراحی مبتنی بر چیپلت اما به صورت عمودی
بر اساس اطلاعات منتشرشده، معماری سهبعدی Kirin 2026 باعث میشود اجزای مختلف تراشه از جمله پردازنده مرکزی (CPU)، پردازنده گرافیکی، واحد پردازش عصبی (NPU) و حافظه DRAM در فاصلهای بسیار نزدیکتر از گذشته قرار بگیرند. در نتیجه، مسیر انتقال دادهها از چند میلیمتر به چند میکرومتر کاهش یافته و سرعت تبادل اطلاعات میان این بخشها به شکل محسوسی افزایش پیدا میکند.
کاهش فاصله میان اجزای تراشه تنها به افزایش سرعت محدود نمیشود. این طراحی همچنین مصرف انرژی را کاهش میدهد، زیرا سیگنالهای الکتریکی برای طی کردن مسیرهای کوتاهتر به توان کمتری نیاز دارند. نتیجه این تغییر، افزایش پهنای باند، بهبود بهرهوری انرژی و فراهم شدن بستر مناسب برای اجرای پردازشهای سنگین، از جمله قابلیتهای هوش مصنوعی روی خود دستگاه (On-device AI)، خواهد بود.
در همین رابطه بخوانید:
- چینیها از تراشه «همسطح ۳ نانومتری» رونمایی کردند؛ مسیر جدید کنار زدن تحریمهای آمریکا در صنعت تراشه
- افشای جزئیات تراشه A20 Pro اپل؛ پکجینگ جدید، موتور عصبی بزرگتر و احتمال استفاده از LPDDR6
راهی برای فرار از محدودیتهای تحریمی
اهمیت این فناوری زمانی بیشتر مشخص میشود که محدودیتهای چینیها در دسترسی به فناوریهای پیشرفته ساخت تراشه را در نظر بگیریم. هواوی به دلیل تحریمهای آمریکا امکان استفاده از تجهیزات پیشرفته EUV را ندارد و تولید تراشههای خود را عمدتاً بر پایه فرآیند ۷ نانومتری SMIC انجام میدهد. در چنین شرایطی، استفاده از فناوریهای پکچینگ پیشرفته مانند Hybrid Bonding میتواند بخشی از محدودیتهای ناشی از فناوری ساخت قدیمیتر را جبران کند.
البته هواوی تنها شرکتی نیست که به دنبال تحول در فناوری پکجینگ تراشهها است. گزارشها نشان میدهد سامسونگ در تراشه Exynos 2700 همچنان از ساختاری استفاده میکند که حافظه DRAM را از قالب اصلی تراشه جدا نگه میدارد و برای مدیریت حرارت نیز از یک هیتسینک مسی با نام Heat Pass Block بهره خواهد برد.
از سوی دیگر، گفته میشود اپل در تراشه A20 Pro از فناوری Wafer-Level Multi-Chip Module (WMCM) استفاده خواهد کرد که در آن تراشه بهطور مستقیم با یک محفظه بخار بزرگ در تماس است تا دفع حرارت با راندمان بالاتری انجام شود.
در مجموع، به نظر میرسد رقابت میان تولیدکنندگان بزرگ تراشه دیگر تنها به کوچکتر شدن لیتوگرافی محدود نیست و فناوریهای نوین بستهبندی و طراحی سهبعدی به یکی از مهمترین محورهای رقابت تبدیل شدهاند. اگر هواوی بتواند فناوری Hybrid Bonding را با موفقیت وارد مرحله تولید انبوه کند، Kirin 2026 میتواند به یکی از مهمترین نمونههای استفاده از طراحی سهبعدی در تراشههای موبایلی تبدیل شود؛ رویکردی که شاید بخشی از شکاف ناشی از عدم دسترسی این شرکت به فناوریهای پیشرفته ساخت را جبران کند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت