دو غول صنعت حافظه چین یعنی CXMT و YMTC، در حال اجرای برنامههای گستردهای برای افزایش ظرفیت تولید خود هستند. گزارشها حاکی از آن است که در میان کمبود جهانی حافظه و تمرکز بازیگران اصلی بر هوش مصنوعی، چین فرصتی طلایی یافته تا فاصله خود را با سامسونگ، SK Hynix و مایکرون کاهش دهد.
طبق گزارش Nikkei Asia، دو شرکت CXMT و YMTC قصد دارند طی دو سال آینده تولید DRAM و NAND خود را با ساخت کارخانههای جدید به شکل چشمگیری افزایش دهند. این حرکت پاسخی مستقیم به نیاز روزافزون زیرساختهای هوش مصنوعی و کمبود ناشی از تغییر استراتژی رقبای جهانی به سمت تولید حافظههای HBM است.
تاسیسات جدید با هدفگذاری سال ۲۰۲۷
شرکت CXMT در حال آمادهسازی یک کارخانه عظیم تولید DRAM در شانگهای است. گفته میشود این مرکز جدید دو تا سه برابر بزرگتر از مقر فعلی این شرکت در هیفی (Hefei) خواهد بود. نصب تجهیزات از اواخر امسال آغاز شده و تولید انبوه برای سال ۲۰۲۷ برنامهریزی شده است.
در همین حال، YMTC که به طور سنتی تولیدکننده حافظههای فلش NAND است، در حال ساخت سومین کارخانه خود در ووهان است که آن هم در حدود سال ۲۰۲۷ وارد مدار تولید میشود. نکته قابل توجه این است که برخلاف رویه معمول این شرکت، انتظار میرود نیمی از ظرفیت این کارخانه جدید به جای NAND، به تولید DRAM اختصاص یابد.
یک منبع آگاه به Nikkei Asia گفته است که کارخانههای فعلی CXMT در هیفی و پکن با تمام ظرفیت کار میکنند و تقاضای بسیار بالایی از سوی شرکتهای داخلی برای افزایش ظرفیت وجود دارد. این در حالی است که سامسونگ و SK Hynix به مشتریان خود هشدار دادهاند که به دلیل تخصیص ظرفیت به هوش مصنوعی، محدودیت عرضه حافظه احتمالا تا سال ۲۰۲۷ ادامه خواهد داشت.
چرخش به سمت HBM برای پر کردن خلأ بازار
کمبود حافظههای DDR5 برای کامپیوترها و سرورها عمدتاً ناشی از تغییر مسیر سرمایهگذاری تولیدکنندگان جهانی به سمت حافظههای با پهنای باند بالا (HBM) است که حاشیه سود بسیار بالاتری دارند و برای شتابدهندههای هوش مصنوعی حیاتی هستند. SK Hynix در حال حاضر ۶۰ درصد از این بازار را در اختیار دارد و سامسونگ و مایکرون باقی بازار را تقسیم کردهاند.
تمرکز بر حافظههای HBM، شکافی در بازار ایجاد کرده که شرکتهای چینی قصد پر کردن آن را دارند. اگرچه CXMT از نظر فناوری چند نسل عقبتر از لبه تکنولوژی است، اما نمونههای اولیه HBM را به مشتریان داخلی از جمله هواوی تحویل داده است. همچنین منابع خبری اشاره میکنند که CXMT قصد دارد خطوط تولید اختصاصی HBM3 را به عنوان بخشی از کارخانه شانگهای خود راهاندازی کند.
از سوی دیگر، YMTC با استفاده از تخصص خود در پکجینگ پیشرفته، به جای رقابت مستقیم در فرآیند تولید تراشههای DRAM، بر مونتاژ و یکپارچهسازی حافظههای HBM تمرکز کرده است. بنابر ادعای یکی از تامینکنندگان YMTC، آنها توسعه DRAM اختصاصی خود را از دو سال پیش آغاز کردند و اکنون تولید DRAM و HBM برای این شرکت تنها مسأله زمان است.
چالش تحریمها و حرکت به سوی خودکفایی
موفقیت این طرحها میتواند چین را صاحب یک زنجیره تامین داخلی کامل برای HBM کند که از تولید ویفر DRAM گرفته تا پکجینگ و مونتاژ نهایی را بدون نیاز به بازیگران خارجی انجام میدهد. این دقیقاً همان سناریویی است که ایالات متحده با اعمال کنترلهای صادراتی بر تجهیزات پیشرفته، سعی در جلوگیری از آن داشتهاند.
با وجود محدودیتهای فروش ابزارهای تولید برای فرآیندهای DRAM زیر ۱۸ نانومتر و NAND بالای ۱۲۸ لایه، سازندگان چینی با تکیه بر ابزارهای نسل قبل و تجهیزات داخلی به پیشرفتهای تدریجی ادامه دادهاند. نمایش اخیر حافظههای پرسرعت DDR5 و LPDDR5X توسط CXMT نشان میدهد که حتی بدون دسترسی به ابزارهای لیتوگری EUV باز هم فضای زیادی برای پیشرفت وجود دارد.
اگرچه حافظههای HBM چینی احتمالاً از نظر پهنای باند و تراکم از آخرین طراحیهای HBM3E و HBM4 سامسونگ و SK Hynix عقبتر خواهند بود، اما برای استفاده در زیرساختهای هوش مصنوعی داخلی چین کافی به نظر میرسند.
در همین رابطه بخوانید:
- غولهای حافظه بازار را قفل کردند؛ فروش تراشه فقط به مشتریان واقعی
- ترمز قیمت رم DDR5 بالاخره کشیده شد؟
افزایش ظرفیت تولید چین شاید در حال حاضر تهدیدی برای بازار HBM ردهبالا نباشد، اما قطعاً بازار DRAM را تحت تأثیر قرار خواهد داد. حال باید منتظر بمانیم و ببینیم که آیا چینیها نجاتدهنده بازار سختافزار از قیمتهای حافظه سرسامآور فعلی خواهند بود یا خیر.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت