پس از سکوتی نسبتاً طولانی، بالاخره اینتل بیانیهای درباره مشکل ناپایداری پردازندههای دسکتاپ نسل سیزدهمی و چهاردهمی منتشر کرد. اینتل میگوید ریشه مشکل را پیدا کرده است و ماه میلادی آینده راه حل آن در قالب یک آپدیت میکروکد منتشر میشود. همچنین اینتل به وجود یک نقص فنی در پردازندههایش اذعان کرده است که ناشی از واکنش شیمیایی ناخواسته بوده است.
اینتل در بیانیه خود مدعی شده بر اساس بررسیهای صورتگرفته بر روی پردازندههای مرجوعی، افزایش ولتاژ کاری ریشه اصلی مشکل ناپایداری برخی پردازندههای نسل سیزدهمی و چهاردهمی است. آنطور که اینتل میگوید، یک الگوریتم موجود در میکروکد باعث برهم خوردن ولتاژ پردازنده و تقاضای ولتاژ بیش از حد میشود.
اعلام ولتاژ بالا به عنوان علت ناپایداری Raptor Lake
حالا که اینتل میگوید ریشه مشکل را پیدا کرده، وعده انتشار یک آپدیت میکروکد به همین منظور را داده است که ظاهراً قرار است مشکل ناپایداری پردازندههای نسل سیزدهمی و چهاردهمی را برطرف کند. اینتل اواسط ماه آگوست را برای ارائه این آپدیت به سازندگان مادربرد تعیین کرده است که پس از آن میتوان انتظار داشت طی چند روز آپدیت بایوس از سوی آنها عرضه شود.
به این ترتیب اینتل تا اینجای کار میگوید ریشه مشکل ناپایداری پردازندههایش نرمافزاری است و با آپدیت microcode برطرف میشود. تقریباً این خوشبینانهترین سناریو ممکن است، هرچند که در گذشته نیز اینتل تلاش کرده بود مشکلات سختافزاری چون حفرههای امنیتی Meltdown و Spectre را با آپدیت نرمافزاری برطرف کند اما عواقبی نظیر افت کارایی به دنبال داشت.
در همین رابطه بخوانید:
- فروشندگان گیم سرور از دست اینتل گریه میکنند!
- ادعای استودیوی بازیسازی: اینتل دارد پردازندههای معیوب میفروشد!
- مشکل اینتل بزرگتر شد؛ پردازندههای لپتاپ هم کرش میکنند!
جالب اینکه اینتل اذعان کرده درباره ناپایداری پردازندههای Raptor Lake پیشتر به یک نقص در فرآیند تولید مشکوک بودهاند که بعدتر مشخص شده علت ناپایداری نیست. بر اساس اعلام اینتل، اوایل تولید پردازندههای Raptor Lake با نسخه بهبود یافته فناوری ساخت Intel 7 یک مشکل شیمیایی در فرآیند تولید وجود داشته که سال 2023 رفع شده است.
اذعان به وجود نقص تولید در برخی پردازندههای Raptor Lake
این مشکل فنی مربوط به مرحله Oxidation بوده که طی آن سیلیکون ویفرها به سیلیکون دیاکسید تبدیل میشود. واکنش شیمیایی سیلیکون و اکسیژن در دمای اتاق آغاز میشود اما پس از تشکیل یک لایه نازک اکسید طبیعی متوقف میگردد. برای دستیابی به نرخ اکسیداسیون مؤثر، ویفر باید در دمای بالا در کورهای با حضور اکسیژن یا بخار آب قرار بگیرد. لایههای سیلیکون دیاکسید به عنوان عایقهای با کیفیت بالا یا ماسکهایی برای کاشت یون استفاده میشوند. توانایی سیلیکون در تشکیل سیلیکون دیاکسید با کیفیت بالا، یکی از دلایل مهمی است که سیلیکون همچنان ماده غالب در ساخت تراشه است.
در نهایت اینتل میگوید مشکل اکسیداسیون را در مراحل اولیه شناسایی کرده و تنها تعداد کمی از پردازندههای رپتور لیک تحت تأثیر نقص اکسیداسیون قرار گرفتهاند. این موضوع احتمالاً برای دارندگان پردازندههای رپتور لیک که پیش از این نگران مسئله ناپایداری بودند، چندان تسلیبخش نخواهد بود، با این حال اگر به ادعاهای اینتل اعتماد کنیم، دستکم اعلام عمومی آن یک اتفاق مثبت است. معمولاً این نوع مشکلات علنی نمیشود، زیرا حتی در بهترین حالت متصور نیز برخی از تراشهها دچار خرابی زودرس میشوند، از همینرو سازندگان تمایلی به اعلام آن ندارند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت