در تراشه‌های کنونی گرما از طریق جنبش مولکولی به سطح آن و نهایتاً کولر منتقل می‌شود که روش سریعی برای دفع گرما نیست و نقاطی با دمای بسیار بالا در سطح تراشه به وجود می‌آید. خبر خوب اینکه پژوهشگرها موفق به ساخت یک سویچ حرارتی الکتریکی شده‌اند که سرعت دفع گرما را با استفاده از میدان الکتریکی افزایش می‌دهد و می‌تواند به ساخت تراشه‌های بسیار خنک‌تر بیانجامد.
گروهی از پژوهشگرها در دانشگاه کالیفرنیا موفق به ساخت ترانزیستورهای مخصوصی شده‌اند که کارشان تسریع انتقال گرما از طریق بهبود هدایت حرارتی است. این کلیدهای حرارتی مولکولی دارای دروازه‌های الکتریکی هستند که گرما را با استفاده از میدان الکتریکی و به روش بسیار سریع‌تری انتقال می‌دهد.
دفع بهتر گرمای پردازنده با فناوری جدید
ترانزیستورهای ابداعی دارای لایه‌ای از مولکول های مخصوص هستند که با اعمال الکتریسیته و ایجاد میدان الکتریکی، تغییراتی در پیوند شیمیایی و توزیع بارهای آن به وجود می‌آید. گرما را 13 برابر بهتر از تراشه‌های فعلی انتقال می‌دهد. مهم‌تر اینکه این روش قابل برگشت بوده و به طور مداوم قابل استفاده است.
با اعمال میدان الکتریکی، پیوندهای شیمیایی لایه مولکولی تشدید می‌شود که به افزایش انتقال حرارتی می‌انجامد. از این ترانزیستورها یا به طور دقیق‌تر سویچ‌های حرارتی، می‌توان در ترکیب با ترانزیستورهای معمولی به منظور ایجاد مسیرهایی برای دفع بهتر و سریع‌تر گرما از تراشه استفاده کرد، بنابراین قرار نیست جای ترانزیستورهای رایج را بگیرد.
سویچ‌های حرارتی ابداعی دارای سرعت سویچینگ بیش از 1 مگاهرتز هستند و می‌توانند تا 1 میلیون بار خاموش-روشن شوند. پژوهشگرها ادعا می‌کنند این راهکار در مقایسه با تراشه‌های مرسوم که گرمای آنها از طریق جنبش مولکولی منتقل می‌شود، در دمای اتاق بیش از 1300 درصد هدایت حرارتی بالاتری دارد.
اکنون باید منتظر ماند و امیدوار بود این نوآوری در کنار دیگر پیشرفت‌های سال‌های اخیر، به ساخت تراشه‌های سریع‌تر و خنک‌تر کمک کند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت