رقابت بر سر درایوهای SSD بالا گرفته است؛ هرکمپانی به دنبال ارائه یک فناوری جدید با تکنولوژی‌های مدرن و کوچک کردن ترانزیستورها به منظور افزایش ظرفیت ذخیره سازی است. از کاهش ابعاد تراشه‌ها تا بالا بردن سرعت و در عین حال پایین آوردن توان مصرفی. حالا «سامسونگ» هم با معرفی یک سری جدید از تراشه‌های نیمه هادی خود در بخش ذخیره سازی، به دنبال رقابت در سطح حرفه‌ای تر رفته است.
سامسونگ الکترونیک، غول فناوری کره جنوبی، امروز به صورت رسمی نسل ششم از تراشه‌های 3D V-NAND خود را معرفی کرد. این تراشه‌ها چیزی فراتر از تراشه‌های 96 لایه، با 136 لایه طراحی شده‌اند. این شرکت از فناوری تراشه‌های 136 لایه خود در راستای تولید SSD و حافظه‌های eUFS استفاده خواهد کرد.
در تراشه‌های 136 لایه سامسونگ، تراشه‌های V-NAND با ظرفیت 256 گیگابیت و سه بیتی تولید شده و نخستین دستاورد این فناوری تولید SSDهای مبتنی بر گذرگاه SATA است. اولین مدل‌ها با ظرفیت 250 گیگابایت تولید شده و به نظر می‌رسد که شامل مدل‌های 2.5 اینچی هستند که در انواع لپ تاپ و کامپیوترها مورد استفاده قرار خواهند گرفت.
آقای Kye Hyun Kyung، از مدیران بخش توسعه محصولات دیجیتالی سامسونگ گفت: سامسونگ با تکیه بر فناوری 3D، به سرعت و زمان مقرر فناوری‌های جدید را معرفی کرده و با هر تکنیک جدید، شاهد افزایش راندمان و بالا رفتن ظرفیت در ابعاد کمتر هستیم. با چرخه سریعتر توسعه حافظه‌های V-NAND، به زودی شاهد مدل‌های 512 گیگابیتی در بازار خواهیم بود. مدل‌های 512 گیگابیتی V-NAND تا پایان سال جاری میلادی، به بازار رقابت افزوده خواهند شد.
نسل ششم تراشه‌های Samsung V-NAND دارای سریع‌ترین نرخ انتقال داده در بین تراشه‌های مشابه در جهان است. تنها در یک پشته (Die) سه بعدی، بیش از 100 لایه بر روی یکدگیر قرار گرفته‌اند. تراشه‌های جدید با استفاده از تکنولوژی Channel Hole Etching تا 40 درصد سلول‌های بیشتری را به هر استک اضافه خواهند کرد. سامسونگ اعلام کرده است که تراشه‌های 136 لایه V-NAND را به صورت اختصاصی در محصولات خود استفاده کرده و یا آنها را به سازندگان SSD عرضه می‌کند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت