سال گذشته توشیبا در Flash Memory Summit از XL-FLASH برداشت که در اصل یک گونه مخصوص از حافظه‌های با تأخیر پایین SLC 3D NAND و پاسخ این کمپانی به Z-NAND سامسونگ و تا حدودی هم 3D XPoint اینتل بود. در آن زمان جزئیاتی زیادی در باره فناوری حافظه XL-FLASH ارائه نشد اما امروز توشیبا اطلاعات بیشتری ارائه کرد.
اولین محصولات بر پایه XL-FLASH از قطعه‌های سیلیکونی 128 گیگابیتی بهره می‌گیرند و 16 عدد از آنها در یک پکیج واحد استفاده می‌شود. از آنجایی که سلول حافظه XL-FLASH تنها یک بیت داده را در خود نگه می‌دارند، دارای اندازه پیج 4 کیلوبایتی هستند که به طرز چشمگیری کوچک‌تر از اغلب 3D NAND ها است. توشیبا می‌گوید تأخیر در حافظه‌های XL-FLASH کمتر از 5 میکروثانیه خواهد بود که به طرز چشمگیری پایین‌تر از تأخیر نزدیک به 50 میکروثانیه‌ای حافظه‌های 3D TLC است.
شاید بزرگ‌ترین تفاوت میان فناوری حافظه XL-FLASH توشیبا و Z-NAND سامسونگ، مدل کسب و کار باشد. در حالی که سامسونگ به طور انحصاری از Z-NAND در محصولات خود استفاده می‌کند، توشیبا XL-FLASH را به سازندگان مختلف می‌فروشد. همین حالا نیز از تراشه‌های حافظه 3D TLC توشیبا در ساخت SSD های برندهای مختلف استفاده می‌شود.
بر پایه شنیده‌ها چند سازنده کنترلر SSD در نظر دارند کنترلرهایی با پشتیبانی از XL-FLASH ارائه کنند، بنابراین شاهد SSD هایی از برندهای مختلف خواهیم بود.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت