سامسونگ اعلام کرد این کمپانی تولید انبوه نسل دوم از پکیجهای حافظه 8 گیگابایتی HBM2 را آغاز کرده است. به ادعای سامسونگ، پکیجهای Aquabolt با برخورداری از سرعت تبادل داده 2.4 گیگابیت بر ثانیه به ازای هر پین، سریعترین راهکار موجود هستند.
پکیجهای 8 گیگابایتی HBM2 جدید سامسونگ بالاترین سطح کارایی مشاهده شده با تراشههای حافظه DRAM را ارائه میکنند. این پکیجها سرعت 2.4 گیگابیت بر ثانیه به ازای هر پین را با ولتاژ 1.2 ولت ارائه میکنند که در مقایسه نسل نخست پکیجهای 8 گیگابیتی HBM2 با سرعت 1.6 گیگابیت بر ثانیه به ازای هر پین با ولتاژ 1.2 ولت و 2.0 گیگابیت بر ثانیه به با ولتاژ 1.35 ولت، با نزدیک به 50 درصد بهبود کارایی همراه است.
در وجود بهبودهای صورت گرفته، یک پکیج 8 گیگابایتی نسل دومی HBM2 سامسونگ به تنهایی پهنای باند حافظه 307 گیگابیتی را ارائه میکند که 9.6 برابر سریعتر از یک تراشه حافظه 8 گیگابیتی GDDR5 با پهنای باند 32 گیگابایت بر ثانیه است. بهکارگیری چهار عدد از این پکیجها پهنای باند حافظه عظیم 1.2 ترابایت بر ثانیه را ارائه میکند که در مقایسه با نسل نخست از HBM2، با افزایش کارایی 50 درصدی همراه است.
راهکار Aquabolt یا همان نسل دوم از پکیجهای 8 گیگابایتی HBM2 سامسونگ، از یک فناوری جدید در رابطه با طراحی مسیر ارتباطی عمودی (موسوم به TSV) و مدیریت گرما بهره میبرد. یک پکیج 8 گیگابایتی HBM2 از هشت قطعه سیلیکونی 1 گیگابایتی (8 گیگابیتی) HBM2 تشکیل شده است که هر یک از آنها از طریق بیش از 5,000 مسیر ارتباطی عمودی وصل شده است. علی رغم اینکه استفاده از تعداد زیادی TSV باعث برهم خوردن فرکانس پالس ساعت میشود، اما سامسونگ موفق شده این تأثیر را در سطح بسیار متوسط نگه دارد و کارایی تراشه را افزایش دهد.
افزون بر آنچه که اشاره شد، سامسونگ تعداد نقاط گرمایی بین قطعههای سیلیکونی داخل پکیج HBM2 را افزایش داده است که به کنترل قوی بر گرما در هر پکیج انجامیده است. این نقاط از طریق اثر ترموالکتریک، دمای پکیجها در بازه مطلوب نگه میدارند. همچنین پکیجهای HBM2 جدید سامسونگ در بخش زیرین دارای یک لایه محافظتی اضافی هستند که استحکام کلی آن را افزایش میدهد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت