در سالهای اخیر تراشههای اگزینوس سامسونگ به صورت جدی با مشکل افت عملکرد ناشی از داغ شدن بیش از حد (Thermal Throttling) روبرو بودهاند. اما این شرکت توانسته است با استفاده از فناوری Heat Pass Block که به اختصار (HPB) نامیده میشود این مشکل را در تراشه اگزینوس 2600 رفع کند. گزارشهای جدید نشان میدهند عملکرد این فناوری بسیار خوب بوده است تا جایی که اکنون اپل و کوالکام نیز به آن علاقهمند شدهاند.
تراشه اگزینوس 2600 از بسیاری از جهات میتواند برای سامسونگ یک نقطه عطف باشد. از سویی قرار است از این تراشه در گوشیهای پرچمدار گلکسی اس 26 استفاده شود و از سوی دیگر بسیاری از شرکتها منتظر عرضه و بررسی عملکرد این تراشه هستند تا در صورت رضایت از آن، کار تولید تراشههای خود با استفاده از فناوری دو نانومتری را به سامسونگ بسپارند. این موضوع سبب شده است سامسونگ برای این تراشه سنگ تمام بگذارد و از فناوریهایی جدیدی همچون Heat Pass Block برای بهبود خنک سازی آن بهره بگیرد. فناوری که اکنون نظر بسیاری از شرکتهای بنام را به خود جلب کرده است.
براساس گزارش Wccftech، سامسونگ توانسته است با استفاده از فناوری Heat Pass Block یا HPB در تراشه اگزینوس 2600، نظر بسیاری از شرکتها همچون اپل و کوالکام را به خود جلب کند. سامسونگ در تلاش است تا با معرفی و به کارگیری مناسب این فناوری میزان سفارشها برای تولید تراشههای دو نانومتری را افزایش دهد. هسته اصلی این فناوری، حل مشکل تولید گرما توسط تراشههای پردازشی است که یکی از چالشهای اساسی در حوزه طراحی و ساخت این محصولات به شمار میرود.
با استفاده از این فناوری، سامسونگ در طراحی تراشه اگزینوس 2600 رویکرد جدیدی را در پیش گرفته است. در نسل قبلی از این تراشهها، حافظه DRAM مستقیماً روی تراشه قرار میگرفت. اما این بار، سامسونگ یک هیتسینک مبتنی بر مس با فناوری HPB را مستقیماً روی پردازنده قرار داده و حافظه DRAM را به کنار آن منتقل کرده است. از آنجا که هیت سینک تماس مستقیم با پردازنده دارد، گرمای تولید شده توسط تراشه به طور موثر از طریق آن دفع میشود. نتیجه این طراحی، تولید تراشهای است که به طور میانگین حدود 30 درصد خنکتر از نسل قبلی تراشههای سامسونگ عمل میکند.
سامسونگ با انتشار تصویری تازه سعی کرده است ساختار فعلی تراشهها که با استفاده از بستهبندی Fan-Out Wafer-Level Package (FO-WLP) تولید میشوند را با ساختار تراشه اگزینوس 2600 که در آن از Heat Path Block (HPB) برای بهبود خنک سازی استفاده شده است مقایسه کند.
اکنون رسانه کرهای ET News اعلام کرده است که سامسونگ قصد دارد فناوری HPB را در اختیار مشتریان نیز قرار دهد. در این گزارش اعلام شده است که کوالکام و اپل به این فناوری علاقهمند شدهاند و قرار است از این سیستم خنک سازی در نسل بعدی از تراشههای خود بهره بگیرند. اپل از سال 2016 و در هنگام ساخت تراشه A10 به سراغ TSMC رفت و از آن پس کار تولید محصولات خود را به صورت اختصاصی به این شرکت محول کرد. کوالکام نیز در سال 2022 تصمیم گرفت تولید تراشه اسنپدراگون 8 نسل یک پلاس را به شرکت تایوانی TSMC بسپارد و دیگر از فناوری سامسونگ در ساخت آنها استفاده نکرد.
البته جدیدترین تراشه پرچمدار کوالکام یعنی اسنپدراگون 8 الیت نسل پنج نیز با مشکلات جدی گرمایی دست و پنجه نرم میکند. اخیراً نشان داده شد که این چیپ در یک آزمون بنچمارک، توان مصرفی 19.5 وات دارد؛ در حالی که A19 Pro اپل در همان تست تنها 12.1 وات انرژی مصرف میکند.
عامل اصلی این مشکل، فرکانس کاری بالای شش هسته قدرتمند تراشه اسنپدراگون 8 الیت نسل پنج است. اگرچه پیکربندی نهایی هستههای پردازنده اگزینوس 2600 سامسونگ هنوز به طور رسمی مشخص نشده، اما بنچمارکهای جدید نشان میدهند هسته اصلی اگزینوس 2600 تنها 4.6 درصد فرکانس بالاتری نسبت به هستههای قدرتمند به کار رفته در پرچمدار کوالکام دارد.
به این ترتیب میتوان گفت که کوالکام نیز با استفاده از فناوری HPB سامسونگ میتواند این مشکلات گرمایی ایجاد شده در تراشههای پرچمدار خود را برطرف کند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت