سامسونگ از یک دستاورد فنی مهم پرده برداشته که می‌تواند صنعت حافظه را در سال‌های آینده متحول کند. محققان این شرکت موفق به توسعه فناوری جدیدی شده‌اند که قادر است با مصرف انرژی بسیار کمتر، پنج بیت داده را در هر سلول حافظه ذخیره و بازخوانی کند که حتی با پیشرفته‌ترین حافظه‌های NAND فعلی نیز برابری می‌کند.
این فناوری تازه بر پایه ترانزیستورهای فروالکتریک (FeFET) ساخته شده است و سامسونگ می‌گوید مصرف انرژی را نسبت به NAND تا ۹۶ درصد کاهش می‌دهد. می‌دانیم در معماری NAND ولتاژ عبوری هر سلول یکی از مهم‌ترین منابع اتلاف انرژی است و کاهش آن معمولاً باعث افت چگالی سلول‌ها می‌شود.
ساخت حافظه کم‌مصرف‌تر با ترانزیستور فروالکتریک
در طراحی کنونی حافظه‌های فلش، افزایش ظرفیت همیشه نیازمند مصرف انرژی بیشتر است. هرچه تعداد سطح‌های ذخیره‌سازی یک سلول (Level) بیشتر شود، کنترل و خواندن آن نیز به ولتاژ بالاتری نیاز پیدا می‌کند. با این حال به نظر می‌رسد فناوری جدید سامسونگ به این تقابل قدیمی پایان داده و امکان دستیابی به چگالی بالاتر را بدون افزایش توان فراهم می‌کند.
بر اساس مقاله منتشرشده در مجله Nature، پژوهشگران سامسونگ موفق شده‌اند ترانزیستورهایی بسازند که هم از ولتاژ عبوری نزدیک به صفر استفاده می‌کنند و هم در آزمایش‌ها عملکرد پایدار و قابل تکرار دارند. نکته مهم‌تر این است که سامسونگ توانسته این ترانزیستورها را در ساختارهای عمودی و چندلایه مشابه تراشه‌های NAND امروزی پیاده‌سازی کند، بنابراین پتانسیل تجاری‌سازی آنها بالا به نظر می‌رسد.
این دستاورد کره‌ای‌ها درست زمانی اعلام می‌شود که صنعت حافظه وارد دور تازه‌ای از رقابت شده و تقاضا برای تراشه‌های کم‌مصرف و با ظرفیت بالا به‌شدت افزایش یافته است. اگر فناوری FeFET سامسونگ به مرحله تولید انبوه برسد، می‌تواند مسیر حافظه‌های نسل بعد را به‌طور جدی تغییر دهد و محدودیت‌هایی را که سال‌ها گریبان‌گیر فناوری NAND بوده، کنار بزند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت