انقلاب جدید در صنعت حافظه با تراشه‌ های 321 لایه NAND flash شرکت SK hynix

شرکت SK hynix امروز ضمن معرفی تراشه‌های 321 لایه NAND flash خود زمان تولید انبوه آن‌ها را هم اعلام کرد. بنا به گفته این شرکت تولید این تراشه‌ها در نیمه اول سال آینده میلادی با ظرفیت 1 ترابایت آغاز خواهد شد. قرار است این تراشه‌های حافظه جدید سرعت انتقال اطلاعات و همچنین بازدهی انرژی حافظه‌های ذخیره‌سازی را به میزان قابل توجهی ارتقا دهند.

تراشه‌های جدید و 321 لایه SK hynix می‌توانند به ایجاد انقلاب تازه‌ای در حافظه‌های ذخیره سازی منجر شوند؛ چرا که آن ها می‌توانند به میزان قابل توجهی سرعت انتقال داده‌ها، خوانش داده‌ها و همچنین بازدهی انرژی این دستگاه‌ها را ارتقا دهند. SK Hynix اعلام کرده است که تولید این تراشه‌های NAND flash را در نیمه نخست سال 2025 میلادی آغاز خواهد کرد و انتظار می‌رود تا پایان سال آینده شاهد حضور آن‌ها در حافظه‌های جدید باشیم. این شرکت امروز با انتشار مطلبی به معرفی جزییاتی از این تراشه‌های جدید خود پرداخت.

براساس گزارش Tomshardware، شرکت SK Hynix به منظور تولید این تراشه‌های 321 لایه NAND flash خود از فناوری جدیدی با عنوان 3 plugs استفاده کرده است. این فناوری به خودی خود با ساختار جدیدی که در اختیار دارد بازدهی تولید حافظه‌های NAND flash را به میزان زیادی افزایش می‌دهد. SK Hynix همچنین اعلام کرده است که در مراحل تولید این تراشه‌های جدید خود از سه لایه مجزا و همچنین ماده‌ای تازه‌ بهره گرفته است که به بهبود عملکرد این محصولات کمک زیادی خواهد کرد.

آنطور که SK Hynix اعلام کرده است بازدهی تولید این تراشه‌های 321 لایه چیزی در حدود 59 درصد نسبت به فناوری قبلی استفاده شده یعنی تراشه‌های 238 لایه بیشتر است. این تراشه‌های 321 لایه همچنین سبب می‌شوند سرعت انتقال اطلاعات در حافظه‌ها چیزی در حدود 12 درصد و سرعت خوانش اطلاعات نیز در حدود 13 درصد نسبت به این فناوری بهبود پیدا کند. دیگر ویژگی‌ مهم این فناوری‌ بهبود بازدهی انرژی است که ارتقای 10 درصدی نسبت به تراشه‌های 238 لایه را فراهم می‌کند.

با معرفی این تراشه‌های جدید از سوی SK hynix، اکنون باید این شرکت را دارای پیچیده‌ترین فناوری و با بیشترین تعداد لایه معرفی کنیم. استفاده از 321 لایه برای تولید تراشه‌های NAND flash رکورد جدیدی برای این شرکت محسوب می‌شود. سامسونگ تاکنون در پیشرفته‌ترین فناوری خود از 280 لایه برای تولید این تراشه‌ها استفاده کرده است اما در ماه‌های اخیر شاهد آغاز فعالیت‌های آن بر روی فناوری‌های 300 و حتی 400 لایه بوده‌ایم که می‌تواند رقابت جدیدی را میان آن و شرکت SK Hynix ایجاد کند.

در همین رابطه بخوانید:

- معرفی انواع تراشه حافظه SSD و روش کار آن
- کاهش قابل توجه قیمت حافظه‌های SSD با افت تقاضا و قیمت تراشه‌های NAND Flash
- اولین حافظه فلش 2 ترابایتی 3D QLC NAND جهان توسط وسترن دیجیتال معرفی شد؛ انقلابی جدید در دنیای حافظه‌ها

فناوری 300 لایه‌ای که هم اکنون سامسونگ در پی دست‌یابی به آن است از ساختار کاملاً مجزایی نسبت به فناوری 321 لایه SK Hynix استفاده می‌کند. سامسونگ چندی پیش اعلام کرد که برای دست‌یابی به این فناوری از تکنیکی با عنوان Double-Stack استفاده خواهد کرد که یک بلوک 3D NAND را بر روی یک ویفر 300 میلی‌متری قرار می‌دهد و سپس یک بلوک مشابه دیگر را هم به آن اضافه می‌کند. تا اینجای کار به نظر می‌رسد فناوری در حال استفاده از سوی شرکت SK Hynix پیشرفته‌تر و بهتر باشد؛ چرا که در آن از سه لایه مجزا استفاده خواهد شد.

پس از این دو شرکت، پیچیده‌ترین فناوری‌ها در تولید تراشه‌های NAND flash در اختیار سه شرکت Micron، YMTC و Kioxia است. دو شرکت Micron و YMTC هم اکنون از فناوری‌های با 232 لایه استفاده می‌کنند اما شرکت Kioxia در حال حاضر به استفاده از فناوری 218 لایه روی آورده است.