به نظر می‌رسد سامسونگ قرار است چند رکورد را در صنعت تراشه‌های NAND بشکند و تراشه‌های 400 لایه NAND را تا سال 2026 تولید کند و SSDهای 200 ترابایتی را برای دیتاسنترهای هوش‌مصنوعی فراهم سازد.
به گزارش وب‌سایت techradar، در گزارشی از Korea Economic Daily، شرکت سامسونگ قصد دارد تا با استفاده از فناوری V10 NAND، صنعت تراشه‌های NAND را به مرحله بعدی برساند و تقاضای بازار دیتاسنترهای هوش مصنوعی را تامین کند.
بر اساس نقشه راه حافظه‌های این شرکت، در نسل دهم تراشه‌های NAND، سلول‌های حافظه و مدارهای محیطی با استفاده از روشی خاص، روی ویفرهای مختلف ساخته خواهند شد و سپس به یک تراشه یکپارچه تبدیل خواهند شد.
این روش که «BV NAND» نام دارد، تولید گرما را کاهش می‌دهد و ظرفیت و عملکرد را افزایش می‌دهد که سامسونگ نتیجه آن را NANDهای رویایی برای هوش مصنوعی توصیف کرده است.
تراشه‌های 1000 لایه در سال 2030
طراحی BV NAND چگالی بیت در هر واحد را 1.6 برابر بیشتر می‌کند که اجازه ساخت SSDهایی با ظرفیت بسیار بالا را برای مصارف هوش‌مصنوعی می‌دهد.
اگرچه تراشه‌های 286 لایه کنونی سامسونگ که با نام V9 NAND شناخته می‌شوند، به عنوان یک دستاورد بسیار بزرگ محسوب می‌شوند، اما تراشه‌های 400 لایه‌ای رکوردهای ظرفیت را خواهند شکست و پس از آن شاهد حضور SSDهایی با ظرفیت بالاتر از 200 ترابایت با مصرف انرژی کم خواهیم بود.
همچنین در ادامه این گزارش، به نظر می‌رسد سامسونگ قرار است نسل یازدم با نام V11 NAND را در سال 2027 میلادی با 50 درصد سرعت انتقال داده بیشتر تولید کند و در سال 2030 تراشه‌های 1000 لایه را به بازار عرضه کند، جایی که پیش‌بینی می‌شود هوش‌مصنوعی برای پردازش حجم بسیار زیادی از داده‌ها نیاز به فضای بسیار بیشتر خواهد داشت.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت