به نظر میآید که سامسونگ سرگرم توسعه نسل بعدی تراشههای NAND برای حافظههای SSD بوده تا ظرفیت این رسانههای ذخیرهسازی را تا حد چشمگیری افزایش دهد. این شرکت نسل نهم تراشههای 290 لایه V-NAND خود را در کنار تراشههای 430 لایه V-NAND در آیندهای نزدیک معرفی خواهد کرد. جزئیات بیشتر را در شهر سخت افزار بخوانید.
به نظر میرسد بازارهای تراشههای فلش NAND به سرعت توانسته بر مشکلات ناشی از کاهش فروش در سه ماهه گذشته غلبه کند که به دلیل کم شدن تقاضای مصرف کننده و سطح بالای موجودی اتفاق افتاده بود.
در مقابل فاز جدیدی از نوآوری در بازار تراشههای فلش NAND آغاز شده است و سامسونگ به عنوان یکی از بزرگان بازار سرگرم توسعه نسل جدید حافظه V-NAND است. تراشه جدید دارای 290 لایه است که روی هم چیده شده و قرار است ظرفیتهای بالاتری را برای حافظههای SSD فراهم کند.
بر اساس گزارش wccftech سامسونگ قصد دارد تا ماه آینده میلادی نسل نهم تراشههای NAND خود را به بازار عرضه کند که احتمالاً جایگزین نسل قبلی خواهد شد. همانطور که میدانید نسل هشتم این تراشهها از 236 لایه برخوردار است.
افزایش دوبرابری ظرفیت حافظههای SSD با تراشههای 430 لایه
رقابت بر سر افزایش ظرفیت تراشههای حافظه NAND رو به افزایش بوده و در این مسیر سامسونگ بسیار جلوتر از رقبایی مانند SK Hynix و Kioxia قرار دارد. نکته جالبتر اینکه غول فناوری کرهای تراشه NAND دیگری با 430 لایه در دست توسعه دارد که به عنوان نسل دهم حافظه NAND به شمار رفته و انتظار میرود سال آینده میلادی به بازار عرضه شود.
نسل نهم تراشههای حافظه شرکت سامسونگ از تکنیک Double Stacking برای استفاده از لایههای بیشتر در فضایی کمتر تمرکز دارد. این تکنیک نه تنها اتصال بهتری میان لایهها ایجاد میکند، بلکه در مقایسه با روشهای قبلی بسیار مقرون به صرفه خواهد بود.
در همین رابطه بخوانید:
- شاهکار جدید سامسونگ؛ آغاز تولید انبوه تراشههای 236 لایه V-NAND
لازم به ذکر است که تقاضا برای تراشههای فلش NAND در چند ماه گذشته افزایش یافته است و عمده این تقاضا برای صنعت هوش مصنوعی بوده زیرا زیرساختهای این صنعت به حافظه ذخیره سازی با سرعت بالا نیاز دارند. این افزایش تقاضا به عنوان یک محرک برای پیشرفت و توسعه حافظه فلش NAND توسط تولیدکنندگانی مانند Samsung عمل خواهد کرد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت