توشیبا: SSDهای نوع QLC NAND کم دوام نیستند

اخیراً توشیبا تراشه‌های حافظه QLC NAND را معرفی کرده که در مقایسه با تراشه‌های NAND فعلی، ظرفیت بالاتری دارد و می‌تواند از شدت مشکل کمبود تراشه‌های حافظه و قیمت بالا SSD‌ها بکاهد، با این حال از آنجایی که هرگونه افزایش در سطح سلول‌ها (تعداد بیت‌ها) به افت کارایی و دوام منجر می شود، نگرانی‌هایی را برانگیخته بود. خبر خوب اینکه به ادعای توشیبا دوام تراشه‌های QLC با تراشه‌های نوع TLC برابری می‌کند.

تعداد حالت‌های وضعیت به ازای هر سلول (تعداد بیت‌ها) در تراشه‌های SLC تنها دو سطح، در MLC چهار سطح، در TLC هشت سطح و در QLC شانزده سطح است که هر سطح آن به معنی یک سطح ولتاژ خاص است و به وضوح افزایش تعداد حالت‌های سلول با افزایش گام‌های ولتاژ همراه است و نتیجه آن افزایش شدت خطا و کاهش طول عمر سلول حافظه است. در ابتدا گفته می‌شد سلول‌های حافظه  QLC حدود 100 الی 150 چرخه نوشتن-پاک کردن (P/E) دوام می‌آورند که به وضوح بسیار پایین بود.
به ادعای توشیبا تراشه‌های 3D QLC NAND ساخت این کمپانی حدود 1000 چرخه نوشتن-پاک کردن دوام می‌آورند که بسیار به دوام تراشه‌های TLC NAND نزدیک است. چنین دوام بالایی برای تراشه‌های QLC نشان می‌دهد توشیبا راهی برای افزایش دوام تراشه‌های QLC پیدا است. توشیبا اوایل ماه جاری میلادی ارسال نمونه‌هایی از تراشه‌های 3D QLC NAND را به شرکای خود آغاز نموده و انتظار می‌رود اواخر سال 2018 یا اوایل 2019 شاهد تولید انبوه SSDهای مبتنی بر تراشه‌های QLC NAND باشیم.
هرچند که تراشه‌های QLC NAND در کاهش هزینه تمام شده درایوهای SSD نوید بخش به نظر می‌رسند، اما آن چیزی نیست که بتوانند در کوتاه مدت مشکل کمبود تراشه‌های NAND و افزایش قیمت‌ها را برطرف کنند.