sk hynix می‌خواهد با فناوری جدید قیمت تمام شده حافظه رم را ۵۰ درصد کاهش دهد

فناوری جدید SK Hynix قیمت حافظه رم را نصف می‌‌‌کند

توضیحات: حمیدرضا زارع; دسته: اخبار حافظه رم; 28 مرداد 1403 12:00

درست مثل تراشه‌های محاسباتی، سازندگان DRAM نیز به دنبال کوچک‌تر کردن ترانزیستورها برای کاهش هزینه هستند. در حال حاضر سازندگان DRAM تنها چند لایه از تراشه‌های حافظه را با استفاده از لیتوگرافی EUV می‌سازند که فرایند گرانی است. اکنون خبر می‌رسد که SK Hynix برنامه‌هایی برای کاهش هزینه‌های تولید تراشه حافظه با استفاده از ترانزیستورهای سه بعدی و طراحی جدید سلول‌های حافظه دارد.

در حال حاضر بیش از یک دهه است که سازندگان DRAM از سلول‌های حافظه با طراحی 6F2 و ترانزیستورهای FinFET استفاده می‌کنند و برای افزایش چگالی و ظرفیت حافظه رم، بیشتر بر کوچک‌تر کردن ترانزیستورها با استفاده از فناوری‌های جدید لیتوگرافی متمرکز هستند.

به گزارش The Elec، یکی از پژوهشگران SK Hynix به نام «Seo Jae» می‌گوید که در حال حاضر تنها چند لایه از تراشه‌های حافظه با استفاده از لیتوگرافی EUV ساخته می‌شود و به‌کارگیری لیتوگرافی EUV با طراحی‌های فعلی گران تمام می‌شود. به همین دلیل SK Hynix به دنبال استفاده از نوع جدیدی از ترانزیستورها و طراحی جدید سلول حافظه است که می‌تواند هزینه‌های ساخت DRAM را به شکل قابل توجهی کاهش دهد.

ترانزیستورهای کانال عمودی VCT به کاهش مساحت سلول حافظه و افزایش چگالی حافظه کمک می‌کنند. — _{ترانزیستورهای کانال عمودی VCT به کاهش مساحت سلول حافظه و افزایش چگالی حافظه کمک می‌کند.}

غول تراشه‌ساز کره‌ای قصد دارد با تغییرات گسترده در طراحی تراشه، از ترانزیستورهای سه بعدی VCT و سلول حافظه 4F2 استفاده کند. تخمین‌های فعلی حکایت از آن دارد که فقط استفاده از طراحی جدید سلول حافظه، می‌تواند چگالی تراشه‌های DRAM را تا ۳۰ درصد افزایش دهد. و با ترکیب سلول 4F2 جدید و ترانزیستورهای کوچک‌تر، قیمت تمام شده حافظه به ۵۰ درصد مقدار فعلی می‌رسد.

شرکت Tokyo Electron که یکی از شرکت‌های مطرح عرضه کننده تجهزات ساخت تراشه است، انتظار دارد اولین ماژول‌های حافظه رم مجهز به ترانزیستور VCT و سلول حافظه لول حافظه 4F2 زودتر از 2027 یا 2028 از راه نرسند چراکه شرکت‌های سازنده حافظه قبل از تولید انبوه باید تجربه کافی در کار با مواد و طراحی جدید را به دست آورند.

در همین رابطه بخوانید:

- سامسونگ اولین تراشه‌های حافظه DRAM سه‌بعدی را تولید خواهد کرد
- DRAM چیست؟ عملکرد حافظه DRAM در GPU و RAM چگونه است؟

دیگر رقیب کره‌ای SK Hynix یعنی سامسونگ هم فعلا قصد معرفی تراشه‌های حافظه با ترانزیستورهای جدید را ندارد و حداقل دو نسل دیگر از چیپ‌های حافظه این شرکت با فناور‌ی‌‌های فعلی و لیتوگرافی بالای ۱۰ نانومتر ساخت خواهد شد.