سامسونگ خبر از آغاز تولید انبوه تراشه حافظه DDR4 با به‌کارگیری نسل دوم از فناوری ساخت رده 10 نانومتر داد. این فناوری ساخت جدید با کاهش اندازه قطعه سیلیکونی و بهبود کارایی و مصرف انرژی همراه است.
فناوری ساخت جدید سامسونگ دقیقاً 10 نانومتری نیست و به همین دلیل رده 10 نانومتری نامیده می‌شود. این فناوری ساخت جدید برای اولین بار در صنعت تراشه‌های DRAM از هوا به عنوان فضا پرکن برای ایجاد فاصله بهره می‌گیرد که به افزایش کارایی کمک می‌کند. تراشه‌های جدید دارای ظرفیت 8 گیگابیت با نرخ تبادل داده 3,600 مگابیت به ازای هر پین (پایه) هستند که در مقایسه با تراشه‌های 8 گیگابیتی فعلی، 400 مگابیت بر ثانیه سریع‌تر است. فراموش نکنید سامسونگ از بیش از یک قطعه سیلیکونی 8 گیگابیتی در قالب یک پکیج برای افزایش ظرفیت بهره می‌گیرد و محصول نهایی لزوماً 8 گیگابیتی نیست. سامسونگ اعلام کرده است این تراشه‌های حافظه جدید از سوی سازندگان پردازنده مورد بررسی قرار گرفته‌اند و مورد تأیید آنها هستند.
تراشه‌های حافظه جدید سامسونگ تنها از فناوری ساخت جدید بهره نمی‌برند، بلکه شاهد طراحی بهبود یافته نیز هستیم. سامسونگ از فناوری‌های جدید برای افزایش دقت خواندن اطلاعات از سلول‌های حافظه بهره گرفته که نتیجه آن افزایش سرعت خواندن است. فضا پرکن‌های از جنس هوا از طریق کاهش اثر القای خازنی که باعث تغییر ناخواسته در سطح ولتاژ سلول ها می‌شود، امکان کار کردن در سرعت‌های بالاتر را فراهم کرده است. در نبود این فضا پر کن‌ها، کار با سرعت بالا باعث تغییرات ناخواسته در سطح ولتاژ سلول‌ها می‌شود.
این فناوری ساخت و طراحی جدید سامسونگ در تولید تراشه‌های حافظه DDR5 ،LPDDR5 ،HMB3 و GDDR6 بکار گرفته خواهد شد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت