سامسونگ به تازگی حافظه‌های رم فوق سریعی با نام MRAM را تولید کرده است که می‌توان از آن به عنوان انقلابی جدید در صنعت حافظه و مموری نام برد. طبق اطلاعات در دسترس این حافظه‌ها می‌توانند با به کارگیری یک فناوری جدید چیزی در حدود 1000 بار سریعتر از حافظه‌های مرسوم NAND عمل کنند. جزییات بیشتر از این محصول جدید سامسونگ را در ادامه مطلب خواهید یافت.
طبق اطلاعات در دسترس حافظه‌های رم جدید سامسونگ Magnetoresistant Random Access Memory نام گرفته است که به اختصار می‌توان آن را با عنوان MRAM معرفی کرد. MRAM نوعی حافظه غیرفرار است که با استفاده از یک فناوری جدید با نام انتقال گشتاور اسپین (Spin Torque Transfer) می‌تواند اطلاعات را بر روی خود ذخیره یا بازخوانی کند. استفاده از این فناوری سبب شده است که این حافظه‌های رم، 1000 بار سریعتر از حافظه‌های NAND باشند و در هنگام فعالیت نیز مصرف انرژی پایین تری داشته باشند. علاوه بر این، حافظه‌های MRAM در زمانی که فعالیتی ندارند نیز هیچگونه انرژی مصرف نمی‌کنند.
اگرچه ویژگی‌های حافظه‌های MRAM بسیار جذاب به نظر می‌رسد اما طبق اطلاعات در دسترس سامسونگ تاکنون نتوانسته است ظرفیت این حافظه‌ها را از چند مگابایت بالاتر ببرد. با توجه به این موضوع حافظه‌های MRAM در حال حاضر تنها برای استفاده به عنوان حافظه کش پردازنده‌ها قابل استفاده هستند. این حافظه‌ها همچنین می‌توانند برای استفاده در دستگاه‌های مبتنی بر اینترنت اشیا مناسب باشند.
سرعت بسیار عالی و همچنین مصرف انرژی پایین می‌تواند حافظه‌های MRAM را برای استفاده در بسیاری از دستگاه‌ها که نیازمند سرعت پردازش بالا هستند ایده‌آل کند. کاربرد این حافظه‌ها در کنار پردازنده‌های فوق سریع امروزی می‌تواند سرعت دستگاه‌های مختلف از جمله گوشی‌های هوشمند را به بالاترین میزان خود برساند و همچنین شارژدهی باتری آن‌ها را هم بهبود ببخشد. سامسونگ قرار است این حافظه‌های خود را در مراسمی در 24 می (3 خرداد) به همگان معرفی کند. مطمئناً در آینده اطلاعات کاملی از این حافظه‌ها در دسترس قرار می‌گیرد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت