Western Digital در نمایشگاه MWC امسال خبر از تولید نمونه‌های اولیه از راهکارهای ذخیره سازی UFS 3.0 برای گوشی‌های 5G داد که به معنای به پایان رسیدن توسعه آن است. این حافظه‌های فلش جدید از فناوری 3D NAND یا همان NAND چند لایه برای ارائه تا 512 گیگابایت حافظه ذخیره سازی پرسرعت بهره می‌گیرند. همچنین این سازنده تراشه از نسل ششم فناوری شتاب بخش NAND SmartSLC خود برای به حداکثر رساندن سرعت نوشتن متوالی بهره گرفته است.
راهکارهای ذخیره سازی Western Digital iNAND MC EU51 از تراشه‌های حافظه 96 لایه 3D TLC NAND ساخت خود این کمپانی و یک کنترلر خانگی بهره می‌گیرند که از رابط دو خطه UFS 3.0 HS Gear 4 پشتیبانی می‌کند. کنترلر مجتمع بکار رفته از فناوری انحصاری iNAND SmartSLC پشتیبانی می‌کند که مشابه کش سازی SLC در SSD ها است و امکان دست یابی به سرعت نوشتن متوالی تا 750 مگابایت در ثانیه را می‌دهد.
پیش بینی می‌شود با ظهور گوشی‌های 5G، حجم داده‌های تولید شده به طرز چشمگیری بالا برود و دارندگان گوشی‌های هوشمند به حجم حافظه بیشتری نیاز پیدا کنند. در عین حال آنها به حافظه‌های سریع‌تر نیاز دارند و به همین دلیل Western Digital فناوری iNAND SmartSLC را در جدیدترین حافظه‌های مخصوص وسایل قابل حمل به خدمت گرفته است. همچنین حافظه‌های EFDs جدید Western Digital از قابلیت‌های مدیریتی و نظارتی پیش رفته چون تاریخچه خطا UFS 3.0 و اعلام دما پشتیبانی می‌کنند. جالب اینکه فیرم ویر این حافظه‌ها خارج از کارخانه هم قابل ارتقا خواهد بود و امکان ارائه آپدیت‌های بهبود کارایی یا امنیتی وجود دارد.
Western Digital در نظر دارد حافظه‌های ذخیره سازی iNAND MC EU511 UFS 3.0 خود را در ظرفیت‌های 64، 128، 256 و 512 گیگابایت عرضه کند، از این رو بخش‌های مختلف بازار گوشی‌های موبایل را هدف می‌گیرد. جالب اینکه ابعاد پکیج تمامی ظرفیت‌های یاد شده یکسان است و برخلاف نسل‌های فعلی ظرفیت‌های بالاتر بزرگ‌تر نیستند.
به گفته Western Digital آنها تولید اولین نمونه‌ها را آغاز کرده‌اند و در حال ارائه آن به شرکای خود هستند، با این حال مشخص نیست کدام ظرفیت‌ها آماده تولید هستند. انتظار می‌رود طی چند فصل پیش رو شاهد گوشی‌های موبایل مجهز به این پکیج‌های حافظه بشیم.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت