مهندسان IBM به تازگی نوع جدیدی از ترانزیستورها را توسعه داده‌اند که در دماهای بسیار پایین نیز عملکرد مناسبی داشته و جایگزین مناسبی برای فین‌فت‌ها (FinFET) محسوب می‌شود. همچنین این فناوری منجر به ساخت تراشه‌های قدرتمند با ابعاد کوچک‌تر مناسب اورکلاک خواهد شد که در جوار نیتروژن مایع عملکردی فوق‌العاده دارد. جزئیات بیشتر را در شهر سخت افزار بخوانید.
خنک‌کردن قطعات الکترونیکی با نیتروژن مایع می‌تواند عملکرد آنها را بهبود دهد، اما ترانزیستورهای امروزی توان تحمل دماهای پایین را ندارند. در همین رابطه محققان IBM از عرضه ترانزیستورهای جدیدی خبر دادند که برای خنک‌سازی با نیتروژن مایع بهینه شده است.
امکان خنک کردن مستقیم پردازنده با نیتروژن مایع
در واقع نیتروژن مایع در دمای منفی 196 درجه سانتیگراد به نقطه جوش خود می‌رسد و تراشه‌های فعلی توان مقاومت و فعالیت در چنین دماهای پایینی را ندارند. همین امر دانشمندان را به این فکر انداخته تا تراشه‌هایی بسازند که در دماهای بسیار پایین هم بتوانند به فعالیت خود ادامه دهند.
بر اساس اعلام techspot نسل جدید ترانزیستورها با معماری نانوصفحه‌ای این امکان را فراهم می‌سازد تا بتوان 50 میلیارد ترانزیستور را در فضایی به‌اندازه یک ناخن قرار داد. این ترانزیستورها جایگزین فناوری فعلی FinFET شده و قرار است در پردازنده‌های 2 نانومتری IBM استفاده شوند.
این ترانزیستور در مجاورت نیتروژن مایع در مقایسه با شرایط دمای اتاق، تقریباً دو برابر عملکرد بهتری دارد. همچنین کاهش اندازه تراشه از طریق کاهش پهنای ترانزیستورها موجب کاهش قابل ملاحظه مصرف انرژی خواهد شد.
در همین رابطه بخوانید:
- رجزخوانی مدیرعامل اینتل برای TSMC: فناوری ساخت 18A به خوبی 2 نانومتری شماست
- TSMC نخستین جزییات از فناوری 1.4 نانومتری خود را منتشر کرد؛ سال 2025 منتظر فناوری 2 نانومتری باشید
به صورت خلاصه باید گفت که فناوری جدید می‌تواند منجر به ایجاد تراشه قدرتمندی شود که در حضور خنک‌کننده نیتروژن مایع بتواند عملکرد خارق‌العاده‌ای از خود به نمایش بگذارد. این امر موجب خواهد شد تا اورکلاکرها قادر باشند رکوردهای بسیار جالبی را در زمینه اورکلاک پردازنده ثبت کنند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت