بر اساس گزارش اخیر، دانشمندان دانشگاه کرنل به تازگی از یک مدل مایکروویو خانگی برای حل یکی از مشکلات مربوط به تولید تراشه‌های 2 نانومتری استفاده کرده‌اند و به نتایج مهمی رسیده‌اند. در ادامه به بررسی فرآیند آزمایش شده می‌پردازیم.
دانشمندان دانشگاه کرنل از یک مایکروویو خانگی اصلاح شده برای کمک به غلبه بر یک مانع قابل توجه در تولید تراشه نیمه هادی 2 نانومتری استفاده کرده‌اند. فرآیند حاصل از تئوری‌های TSMC در مورد امواج مایکروویو و تغلیظ سیلیکون با فسفر الهام گرفته است. در نتیجه، تولیدکنندگان نیمه‌رساناها می‌توانند با استفاده از تجهیزات و تکنیک‌های جدید، از حد قبلی غلظت فسفر در سیلیکون عبور کنند و چیپ‌های کوچک‌تری بسازند.
برای اینکه فرآیندهای نیمه هادی به انقباض ادامه دهند، سیلیکون باید با غلظت فسفر بالاتر و بالاتر تغلیظ شود تا عبور جریانی دقیق و پایدار در تراشه را تسهیل کند. در حال حاضر با شروع صنعت تولید انبوه قطعات 3 نانومتری، روش‌های آنیل کردن (Annealing) سنتی هنوز به طور موثر کار می‌کنند. با این حال، با رشد صنعت به سمت تراشه‌های پیشرفته‌تر از 3 نانومتر، غلظت فسفر بالاتر حاضر در سیلیکون باید بالاتر از میزان حل‌شوندگی متوسط فسفر باشد. همچنین، علاوه بر دستیابی به سطوح غلظت بالاتر، ثبات و پایداری مواد نیز در ساخت تراشه‌های نیمه هادی بسیار حیاتی است.
در همین رابطه بخوانید:
- TSMC فرآیند ساخت 2 نانومتری (N2) خود را معرفی کرد؛ بهبود 15 درصدی عملکرد و 30 درصدی بازدهی انرژی
- اولین تراشه‌های 2 نانومتری متعلق به چه شرکت‌هایی خواهد بود؟
- TSMC تایید کرد: تراشه‌های 2 نانومتری سال 2026 عرضه می‌شوند
TSMC قبلاً این نظریه را مطرح کرده بود که برای تسهیل افزایش غلظت فسفر می‌توان از امواج مایکروویو در فرآیند آنیل کردن استفاده کرد. با این حال، منابع گرمایش یک مایکروویو معمولی فقط امواج ایستا تولید می‌کنند که برای گرمایش یکنواخت سیلیکون مضر هستند. به عبارت ساده، دستگاه های مایکروویو معمولی محتویات خود را به طور ناهموار و ناهمگن گرم می‌کنند و به همین دلیل تاکنون از این روش برای ساخت تراشه‌های نیمه‌هادی استفاده نشده بود.
از این رو شرکت TSMC و وزارت علوم و فناوری تایوان از دانشمندان دانشگاه کرنل برای انجام تحقیقات خود در مورد آنیل کردن به وسیله‌ی مایکروویو حمایت کردند. در مقاله علمی به دست آمده خود که در اوایل این هفته توسط دانشگاه کرنل منتشر شد، دانشمندان مدعی شدند که به لطف روش‌های پیشرفته خود برای آنیل کردن توسط مایکروویو، بر چالش اساسی در تغلیظ بالا و در عین حال پایدار سیلیکون غلبه کرده‌اند.
در صورت علاقه‌مندی بیشتر شما نیز می‌توانید مقاله منتشر شده توسط دانشمندان کرنل را در این لینک مشاهده کرده و جزئیات این تحقیق را بخوانید. همچنین از نام مقاله متوجه خواهید شد که این روش آنیل کردن برای جدیدترین فناوری ترانزیستور نانوصفحه‌ای کارآمد است. TSMC قبلاً اعلام کرده است که از نانوصفحات 2 نانومتری برای تولید ترانزیستورهای GAAFET استفاده خواهد کرد.
در همین رابطه بخوانید:
- تولید انبوه تراشه‌های 2 نانومتری TSMC از سال 2024 آغاز می‌شود
- اینتل زودتر از سایر رقبا تراشه‌های 2 نانومتری خود را معرفی می‌کند
- تراشه‌های 1.4 نانومتری روی خط تولید TSMC قرار می‌گیرد
نویسنده اصلی مقاله، جیمز هوانگ، استاد پژوهشی در دپارتمان علوم و مهندسی مواد، در این باره گفت: «این رویکرد جدید مایکروویو به طور بالقوه می‌تواند تولیدکنندگان پیشرو مانند TSMC و سامسونگ را قادر سازد تا به روشی برای تولید تراشه‌های 2 نانومتری دست یابند. این تحقیقات ادامه خواهد داشت و در حال حاضر بودجه بیشتری بدست آورده است.»
نظر شما در مورد پژوهش اخیر دانشمندان دانشگاه کرنل و پیشرفت در تولید تراشه‌های 2 نانومتری چیست؟ آیا تا 5 سال آینده تراشه‌های 2 نانومتری را خواهیم دید؟
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت