شرکت تایوانی TSMC امروز از فناوری ساخت تراشه 2 نانومتری خود که آن را با عنوان N2 می‌شناسیم رونمایی کرد. بنا به گفته این شرکت این فناوری ساخت تراشه تا سال 2025 تکمیل شده و مورد استفاده قرار می‌گیرد و شاهد دسترسی به رده جدیدی از عملکرد و مصرف بهینه انرژی در محصولات تولید شده مبتنی بر آن خواهیم بود.
امروز و در حاشیه رویداد Technology Symposium که توسط TSMC در حال برگزاری است این شرکت تایوانی فناوری ساخت تراشه 2 نانومتری خود با عنوان N2 را معرفی کرد. قرار است برای نخستین بار در این فناوری ساخت تراشه از ترانزیستورهای موسوم به Gate-All-Around Field-Effect یا GAAFET استفاده شود که دسترسی به رده جدیدی از عملکرد و بازدهی انرژی را ممکن می‌کند. همچنین بنا به گفته TSMC در این فناوری با افزایش تراکم ترانزیستورها همراه خواهیم بود اما این میزان نسبت به فناوری‌های موجود این شرکت چندان چشم‌گیر نیست.
TSMC اعلام کرده است که فناوری ساخت تراشه 2 نانومتری در سال 2025 به بهره‌برداری کامل می‌رسد و قرار است ضمن استفاده از ترانزیستورهای Nanosheet با عنوان GAAFET و همچنین فناوری دیگری که با عنوان Backside Power Delivery شناخته می‌شود میزان نسبت عملکرد به ازای هر وات انرژی مصرفی افزایش قابل توجهی پیدا کند.
ترانزیستورهای GAAFET قابلیت‌های جدیدی را در حوزه ارتقا عملکرد و همچنین کاهش مصرف انرژی در اختیار تولید کنندگان تراشه‌ها قرار می‌دهد و از این رو استفاده از آن‌ها اتفاق مهمی محسوب می‌شود. فناوری Backside Power Delivery نیز با هدف بهبود انتقال انرژی به ترانزیستورها مورد استفاده قرار می‌گیرد و محدودیت‌های موجود در نسل قبل از ترانزیستورها را برطرف می‌کند.
TSMC اعلام کرده است که فناوری تولید تراشه N2 سبب می‌شود که نسبت به فناوری N3E این شرکت شاهد افزایش 10 تا 15 درصدی عملکرد (با حفظ همان میزان مصرف انرژی و پیچیدگی) و همچنین کاهش 25 تا 30 درصدی مصرف انرژی (با حفظ همان فرکانس و تعداد ترانزیستور) روبرو شویم. این فناوری همچنین سبب می‌شود که تراکم ترانزیستورها نسبت به فناوری N3E به حدود 1.1 برابر برسد.
به این ترتیب باید گفت که فناوری N2 شرکت TSMC اگرچه سبب بهبود قابل توجه میزان عملکرد و همچنین کاهش انرژی مصرفی می‌شود اما به سختی می‌تواند تراکم ترانزیستورها را ارتقا دهد. برای مقایسه بهتر باید توجه داشت که فناوری ساخت N3E این شرکت سبب شد نسبت به فناوری N5 شاهد افزایش تراکم 1.3 برابری باشیم.
TSMC اعلام کرده است که فناوری تولید تراشه N2 سبب می‌شود که نسبت به فناوری N3E این شرکت شاهد افزایش 10 تا 15 درصدی عملکرد (با حفظ همان میزان مصرف انرژی و پیچیدگی) و همچنین کاهش 25 تا 30 درصدی مصرف انرژی (با حفظ همان فرکانس و تعداد ترانزیستور) روبرو شویم. این فناوری همچنین سبب می‌شود که تراکم ترانزیستورها نسبت به فناوری N3E به حدود 1.1 برابر برسد که نسبت به سال 2025 و زمان عرضه این محصولات چندان قابل توجه به نظر نمی‌رسد.
در همین رابطه بخوانید:
- اینتل زودتر از سایر رقبا تراشه‌های 2 نانومتری خود را معرفی می‌کند
- دیگر بیشترین درآمد TSMC مربوط به پردازنده های موبایل نیست
- اولین تراشه های 3 نانومتری نیمه دوم 2022 از راه می‌رسند
براساس اطلاعات منتشر شده از سوی TSMC در نیمه دوم از سال 2025 شاهد تولید انبوه تراشه‌های مختلف با استفاده از فناوری N2 خواهیم بود. به این ترتیب انتظار می‌رود محصولات تولید شده با استفاده از این فناوری در اواخر سال 2025 و اوایل سال 2026 روانه بازار شوند. انتظار می‌رود تا آن زمان TSMC رده‌های جدید و دیگری از فناوری ساخت 3 نانومتری خود را معرفی کند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت