کمپانی تایوانی TSMC به عنوان پرچمدار صنعت نیمه‌هادی شناخته می‌شود و همیشه در زمینه فناوری‌های تولید تراشه چند قدم از رقبای خود جلوتر است. بر اساس گزارش‌های منتشر شده، TSMC به فناوری ساخت تراشه‌های 2 نانومتری دست پیدا کرده و قصد دارد تا تولید انبوه آن‌ها را از سال 2024 آغاز کند.
بر اساس اطلاعات منتشر شده از سوی متخصصین صنعت نیمه‌هادی، در فرایند لیتوگرافی 2 نانومتری از معماری جدید "MBCFET" استفاده می‌شود، این در حالی است که تراشه‌ها با لیتوگرافی 5 و 3 نانومتری از معماری "FinFET" استفاده می‌کنند. همچنین در این گزارش به پیشرفت چشمگیر TSMC در توسعه تراشه‌های 2 نانومتری اشاره شده است؛ در همین راستا این شرکت نیمه هادی تایوانی قصد دارد تا در سال 2024 تولید انبوه تراشه‌های 2 نانومتری را آغاز کند.
مسئولین شرکت TSMC امید دارند تا نرخ بازدهی تولید آزمایشی فناوری 2 نانومتری در نیمه دوم سال ۲۰۲۳ به ۹۰ درصد برسد، زیرا این موضوع به دریافت سفارش ساخت از شرکت اپل کمک بسیاری می‌‍‌کند. در سال 2019 کمپانی TSMC تیمی از محققین خود را برای تحقیق و توسعه در خصوص فرایند ساخت لیتوگرافی 2 نانومتری مامور کرد.
ماموریت این تیم پیدا کردن روش‌های عملی برای تولید تراشه‌های 2 نانومتری بود؛ همچنین این تیم تحقیقاتی باید فاکتورهای هزینه تولید، سازگاری تجهیزات، کارایی فناوری و عملکرد را در این پروژه مد نظر قرار می‌داد. به لطف معماری "MBCFET" مشکل نشت جریان کنترلی در معماری "FinFET" برطرف می‌شود و در نهایت شاهد عملکرد بهینه‌تری در فناوری 2 نانومتری خواهیم بود.
برنامه‌های تحقیقاتی شرکت TSMC همچنان ادامه دارد و در همین راستا این شرکت تایوانی قصد دارد تا در کنار آماده سازی فناوری 2 نانومتری برای سال 2024، تحقیقات خود را در خصوص توسعه لیتوگرافی 1 نانومتری آغاز کند. TSMC قصد دارد تا به منظور توسعه فناوری‌های نیمه هادی و تولید تراشه‌های 2 نانومتری، کارخانه خود را در مرکز تایوان گسترش دهد؛ بدون شک این موضوع تهدید بزرگی برای شرکت‌های رقیب از جمله سامسونگ به شمار می‌رود.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت