سامسونگ الکترونیکس بار دیگر توسعه فناوری ساخت ۱.۴ نانومتری SF1.4 را بهطور جدی آغاز کرده و این بار با همکاری نزدیک تأمینکنندگان تجهیزات نیمههادی، برنامهریزی برای نسل بعدی خطوط تولید خود را سرعت بخشیده است. این فناوری که در ابتدا قرار بود در سال ۲۰۲۷ به تولید انبوه برسد، اکنون برای عرضه تجاری در سال ۲۰۲۹ هدفگذاری شده است.
بر اساس گزارش رسانه کرهای The Bell، سامسونگ اخیراً نقشه راه فرایند ۱.۴ نانومتری خود را با شرکتهای بزرگ سازنده تجهیزات نیمههادی از جمله Applied Materials و Lam Research به اشتراک گذاشته و از آنها خواسته است توسعه تجهیزات موردنیاز این فناوری را از هماکنون آغاز کنند.
این تجهیزات قرار است در مرکز تحقیق و توسعه نسل آینده نیمههادی سامسونگ موسوم به NRD-K مستقر شوند. این مرکز که نقش مهمی در توسعه فناوریهای پیشرفته ساخت تراشه ایفا خواهد کرد.
تمرکز بر بلوغ فناوری ۲ نانومتری
سامسونگ در ابتدا قصد داشت فرایند ۱.۴ نانومتری را زودتر وارد مرحله تولید کند، اما تصمیم گرفت منابع خود را روی به نتیجه رساندن فناوری ۲ نانومتری (SF2) و نسخه ارتقایافته آن SF2P متمرکز کند.
این تصمیم که با هدف افزایش بازده تولید و بهینهسازی فرایندهای موجود اتخاذ شد، اکنون به نظر میرسد نتایج مثبتی به همراه داشته است.
طبق گزارش منتشرشده، سامسونگ موفق شده بازده تولید فناوری ۲ نانومتری را به سطح پایداری برساند و همچنین قرارداد تولید تراشههای هوش مصنوعی نسل بعدی شرکت Tesla را نیز به دست آورد. همین موفقیت زمینه را برای تمرکز دوباره بر توسعه نسل بعدی فناوریهای ساخت فراهم کرده است.
ورود تجهیزات High-NA EUV به مرکز تحقیقاتی سامسونگ
یکی از مهمترین بخشهای پروژه ۱.۴ نانومتری، استفاده از نسل جدید دستگاههای لیتوگرافی High-NA EUV است. این تجهیزات که توسط شرکت ASML تولید میشوند، پیشتر به مرکز NRD-K منتقل شدهاند و انتظار میرود از فرایند ۱.۴ نانومتری در برخی لایههای ساخت تراشه مورد استفاده قرار گیرند.
فناوری High-NA EUV به دلیل رزولوشن بسیار بالاتر نسبت به نسل فعلی لیتوگرافی EUV، یکی از فناوریهای کلیدی برای تولید تراشههای زیر ۲ نانومتر محسوب میشود.
همکاری نزدیک با سازندگان تجهیزات
در صنعت نیمههادی، توسعه تجهیزات معمولاً همزمان با طراحی فرایندهای ساخت انجام میشود. به همین دلیل شرکتهایی مانند Applied Materials و Lam Research از مراحل ابتدایی توسعه فناوری با تولیدکنندگان تراشه همکاری میکنند تا تجهیزات متناسب با نیازهای فرایند جدید طراحی و ساخته شود.
به گفته یکی از مدیران ارشد یک شرکت جهانی تجهیزات نیمههادی، تولیدکنندگان تجهیزات از همان ابتدای توسعه فناوریهای جدید در کنار سازندگان تراشه حضور دارند و بسیاری از سامانهها دقیقاً براساس مشخصات فنی موردنیاز مشتری طراحی میشوند.
در همین رابطه بخوانید:
- عقبنشینی سامسونگ در برابر TSMC؛ غول کرهای دیگر برای برتری در فناوری ساخت تراشه نمیجنگد
- قیمت سرسامآور تراشههای ۲ نانومتری TSMC؛ آیا سامسونگ ناجی شرکتهای فناوری خواهد بود؟
رقابت با TSMC و اینتل وارد مرحله جدید میشود
با ازسرگیری توسعه فرایند ۱.۴ نانومتری، سامسونگ تلاش میکند فاصله فناوری خود را با رقبای اصلی کاهش دهد. برنامه فعلی TSMC تولید انبوه فناوری ۱.۴ نانومتری در سال ۲۰۲۸ است، یعنی یک سال زودتر از سامسونگ. از سوی دیگر، Intel نیز توسعه فناوریهای نسل آینده خود را ادامه میدهد و برای برخی فرایندهای پیشرفته، تولید انبوه را از سال آینده هدفگذاری کرده است.
در نتیجه، رقابت میان سه غول صنعت نیمههادی در حوزه فناوریهای زیر ۲ نانومتر طی سالهای آینده وارد مرحله حساستری خواهد شد.
توسعه نسل دوازدهم NAND نیز در دستور کار
این گزارش همچنین اشاره میکند که سامسونگ سفارش توسعه تجهیزات موردنیاز برای حافظههای V12 NAND را نیز به تأمینکنندگان خود ارائه کرده است.
انتظار میرود تولید انبوه این نسل از حافظههای NAND از حدود سال ۲۰۳۰ آغاز شود. معماری جدید با استفاده از ساختار چندلایه و انباشت ویفرها روی هم، ظرفیت ذخیرهسازی و عملکرد را نسبت به نسلهای فعلی به شکل محسوسی افزایش خواهد داد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت