سامسونگ جزئیات تازهای از نقشه راه بلندمدت خود برای توسعه تراشههای NAND منتشر کرده است. این شرکت قصد دارد با استفاده از فناوری جدید Cell Multi-Bonding (CMB)، نسل جدیدی از حافظههای V-NAND با بیش از 1000 لایه را توسعه دهد تا ظرفیت SSDها بیش از 4 برابر افزایش یابد.
بر اساس گزارش guru3d سامسونگ ابتدا تعداد لایههای NAND خود را به حدود 420 لایه تا سال 2029 افزایش خواهد داد و سپس در سال 2030 به بیش از 560 لایه میرسد. اما هدف نهایی این شرکت فراتر از این اعداد است و به توسعه حافظههای 900 تا 1000 لایهای در سالهای پس از 2030 مربوط میشود.
سامسونگ بهجای تولید یک ساختار یکپارچه با 1000 لایه که از نظر فنی بسیار پیچیده و پرهزینه است، قصد دارد از فناوری Cell Multi-Bonding استفاده کند. در این روش دو ساختار NAND مستقل با حدود 450 لایه در یک پکیج واحد به یکدیگر متصل میشوند تا تراکمی نزدیک به یک حافظه 1000 لایهای ایجاد شود.
این رویکرد علاوه بر افزایش چگالی ذخیرهسازی، بخشی از چالشهای تولید ساختارهای بسیار بلند و پیچیده را نیز کاهش میدهد. سامسونگ معتقد است این فناوری مسیر عملیتری برای عبور از محدودیتهای فعلی صنعت NAND محسوب میشود.
افزایش تعداد لایهها مستقیماً به معنای افزایش تراکم ذخیرهسازی است. سامسونگ اعلام کرده نسلهای آینده NAND مبتنی بر فناوری CMB میتوانند حدود 4 برابر تراکم بیشتری نسبت به راهکارهای فعلی داشته باشند.
در نتیجه ظرفیت SSDها بدون نیاز به افزایش ابعاد فیزیکی رشد چشمگیری خواهد داشت. این فناوری میتواند ظرفیت یک SSD مبتنی بر حافظه QLC با ظرفیت 8 ترابایت را تا حدود 32 ترابایت افزایش دهد.
چالشهای پیش روی تراشههای حافظه 1000 لایه
با افزایش ارتفاع ساختارهای NAND، مشکلات مهندسی نیز پیچیدهتر میشوند که میتواند روی بازده تولید و کیفیت نهایی تراشهها تأثیر بگذارد. همچنین همتراز نگه داشتن صدها لایه روی یکدیگر به دقت بسیار بالایی نیاز دارد.
در حالی که سامسونگ برای دستیابی به NANDهای هزار لایه برنامهریزی میکند، سایر تولیدکنندگان نیز بیکار ننشستهاند. SK Hynix پیشتر توسعه NANDهای 321 لایهای را آغاز کرده و روی نسلهای 400 لایهای کار میکند. از سوی دیگر، شرکت چینی YMTC نیز با تولید NANDهای 232 و 294 لایهای فاصله خود را با رهبران بازار کاهش داده است.
فناوری Cell Multi-Bonding و ساختارهای 900 تا 1000 لایهای هنوز در مراحل تحقیق و توسعه قرار دارند و تا عرضه تجاری آنها چند سال فاصله باقی مانده است. با این حال، سامسونگ اعلام کرده هدف نهایی آن عرضه حافظههای V-NAND هزار لایهای در حوالی سال 2030 است.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت