به نظر می‌آید SK Hynix به فناوری جدیدی در ساخت تراشه‌های حافظه NAND دست یافته که می‌تواند ساخت حافظه‌های 400 لایه را در آینده‌ای نزدیک امکان پذیر کند. همچنین این شرکت از برنامه‌های خود برای ساخت تراشه‌های حافظه 321 لایه در انتهای سال جاری میلادی پرده برداشته است. جزئیات بیشتر را در شهر سخت افزار بخوانید.
SK Hynix این روزها در حال توسعه تراشه‌های حافظه 400 لایه NAND برای رسیدن به ظرفیت‌های چندین ترابایتی در ساخت SSDها بوده و در همین رابطه اعلام شده که حافظه‌های مذکور تا سال 2025 میلادی از راه می‌رسند.
جزئیات بیشتر از تراشه‌های 400 لایه SK Hynix
رسانه wccftech معتقد است که نیاز به ظرفیت بالاتر حافظه ذخیره‌سازی هرگز پایانی ندارد و به نظر می رسد SK Hynix با برنامه جدید خود به دنبال ساخت یک تراشه 400 لایه NAND برای درایوهای ذخیره سازی بعدی خود است.
بر اساس گزارش‌های منتشر شده می خواهد تولید انبوه تراشه‌های NAND 400 لایه را تا پایان سال 2025 آغاز کند. این در حالی است که عرضه نسل جدید تراشه‌های حافظه 321 لایه SK Hynix از انتهای سال جاری آغاز خواهد شد.
با این حال ساخته تراشه‌های NAND با این تعداد لایه کار بسیار پیچیده‌ای بوده و در همین رابطه SK Hynix از فناوری جدیدی موسوم به Hybrid Bonding برای اتصال لایه‌های این تراشه استفاده کرده است.
در مقابل غول های حافظه مانند سامسونگ و میکرون نیز بیکار ننشسته و در حال افزایش لایه ها در تراشه های NAND خود هستند. در همین رابطه Micron اخیراً یک تراشه NAND متراکم با 276 لایه معرفی کرده و سامسونگ تولید انبوه سلول سه سطحی NAND با 290 لایه را آغاز کرده است.
در همین رابطه بخوانید:
- عرضه کارت‌های حافظه microSD با ظرفیت یک ترابایت Evo Select و Pro Plus توسط سامسونگ با قیمت و سرعت خیره کننده
- Micron سریع‌ترین SSD دنیا را معرفی کرد!
البته سامسونگ به دنبال اهداف بالاتری بوده و منتظر تولید تراشه NAND با بیش از 1000 لایه تا سال 2030 است. با این حال شرکت ژاپنی Kioxia در حال حاضر با تراشه‌های 218 لایه NAND سه بعدی و برنامه هایی برای دستیابی به 1000 لایه قبل از سامسونگ را در تایم لاین خود قرار داده است.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت