SK hynix اولین حافظه NAND با 238 لایه را رونمایی کرده تا در این زمینه از رقبایی همچون مایکرون، سامسونگ و KIOXIA سبقت بگیرد.
چند روز پیش برند مایکرون اولین فلش NAND جهان را با 232 لایه معرفی کرد و حال نوبت به رکوردشکنی SK hynix رسیده است.
در همین رابطه بخوانید:
- میکرون اولین فلش NAND جهان با 232 لایه را عرضه کرد؛ 2 ترابایت اطلاعات در فضایی کوچک
- اولین تصویر از یک سیستم AMD Ryzen 7000 با SSD پرسرعت PCIe 5.0
این شرکت موفق شده اولین فلش NAND با 238 لایه و ظرفیت 512 گیگابایت را تولید نماید. این فلش TLC قرار است تا نیمه اول سال 2023 به تولید انبوه برسد و به مشتریان عرضه شود.
SK hynix می‌گوید پیشرفت فعلی به دنبال تولید فلش NAND دارای 176 لایه در سال 2020 اتفاق افتاده و حال محصول جدید با 238 لایه علاوه بر تعداد لایه‌های بیشتر، فضای کمتری را نیز نسبت به فناوری‌های پیشین اشغال می‌نماید.
این فلش NAND که از آن در راهکارهای حافظه نسل آینده PC و موبایل استفاده خواهد شد، سرعت انتقال داده را تا 50 درصد افزایش می‌دهد و بهینه‌تر نیز عمل می‌نماید. مقدار انرژی مصرف شده برای خوانش اطلاعات در این فلش 21 درصد کاهش یافته است.
SK hynix و Solidigm به عنوان زیر شاخه NAND اینتل به کار خود ادامه می‌دهد و 18 درصد بازار این محصولات را بعد از سامسونگ با 35 و KIOXIA با 19 درصد در اختیار دارد.
چندی پیش مایکرون فلش TLC NAND خود را معرفی کرد که از آن در تیزر اس اس دی Phison با PCIe 5.0 روی مادربرد X670 و همراه با پردازنده رایزن 7000 استفاده شده است.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت