سامسونگ خبر از دستیبانی به تولید تراشه‌های حافظه HBM4E با پهنای باند حافظه سرسام‌آور 4 ترابایت در ثانیه داده است که می‌تواند به ساخت شتاب‌دهنده‌های هوش‌مصنوعی بسیار پرقدرت‌تر کمک کند. ماجرا هنگامی جالب‌تر می‌شود که بدانید روی یک GPU می‌توان چندین استک حافظه HBM4E نصب کرد.
سامسونگ در جریان کنفرانس این شرکت در Hot Chips 2026 اعلام کرد توسعه فناوری حافظه HBM4E طبق برنامه پیش می‌رود و این شرکت برای عرضه نسخه‌ای سریع‌تر با نرخ انتقال داده ۱۶ گیگابیت در ثانیه به ازای هر پین آماده می‌شود.
برای درک اهمیت این عدد باید توجه داشت که منظور سامسونگ سرعت انتقال داده از طریق هر پایه رابط حافظه است و سرعت نهایی تراشه یا کل استک حافظه را بازتاب نمی‌دهد. بنابراین یک پکیج حافظه چندلایه HBM4E می‌تواند پهنای باند حافظه بسیار عظیمی فراهم کند.
سامسونگ در حال حاضر پکیج‌های حافظه HBM4E را با نرخ انتقال ۱۴ گیگابیت در ثانیه به ازای هر پین عرضه می‌کند که با همین رابط ۲۰۴۸ بیتی، حدود ۳.۶ ترابایت در ثانیه پهنای باند برای GPU فراهم می‌کند. بنابراین رسیدن به نرخ انتقال داده بالاتر منجر به افزایش قابل توجه پهنای باند خواهد خواهد شد.
چرا عطش برای پهنای باند HBM4E این‌قدر زیاد است؟
حافظه‌های HBM امروزه در ترکیب با پردازنده‌های گرافیکی و شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی رده‌بالا استفاده می‌شوند و تقریباً در محصولات معمولی کاربردی ندارند. چنین شتاب‌دهنده‌های گرافیکی پرقدرتی برای اجرای مدل‌های بزرگ هوش مصنوعی به حجم زیادی از داده نیاز دارند و اگر حافظه نتواند داده‌ها را با سرعت کافی در اختیار واحدهای پردازشی قرار دهد، بخشی از توان محاسباتی آنها بلااستفاده می‌ماند.
از طرف دیگر، شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی می‌توانند از چندین پشته HBM به‌صورت همزمان استفاده کنند. بنابراین اگر یک شتاب‌دهنده به حدود ۱۲ پشته HBM4E مجهز شود، پهنای باند تئوری می‌تواند به حدود ۴۸ ترابایت در ثانیه برسد. البته این عدد صرفاً مجموع پهنای باند تئوری پشته‌هاست و به معنای دستیابی واقعی شتاب‌دهنده به چنین پهنای باند بالایی در همه شرایط نیست.
سامسونگ را در حال حاضر فناوری حافظه HBM4E را در قالب پشته‌های ۱۲ لایه و ظرفیت ۴۸ گیگابایت عرضه می‌کند. البته این شرکت برای پاسخ به نیازهای مختلف مشتریان، تولید نسخه‌های ۸ لایه با ظرفیت ۳۲ گیگابایت و ۱۶ لایه با ظرفیت ۶۴ گیگابایت را نیز در برنامه دارد.
سامسونگ برای تولید HBM4E از نسل ششم فناوری ساخت تراشه کلاس ۱۰ نانومتری مخصوص DRAM استفاده می‌کند و تراشه‌های حافظه را به‌صورت چندلایه روی یکدیگر قرار می‌دهد.
در همین رابطه بخوانید:
- رونمایی سامسونگ از حافظه HBM4E؛ پهنای باند ۴ ترابایت بر ثانیه برای پلتفرم هوش مصنوعی انویدیا
در کنار این لایه‌های حافظه پیشرفته و متراکم، HBM4E از یک یک تراشه اختصاصی به عنوان بستر ارتباطی استفاده می‌کند که سامسونگ آن را با فناوری ۴ نانومتری SF4 تولید می‌کند. این دای ارتباط GPU با لایه‌های حافظه را فراهم می‌کند و در عین حال بکارگیری فناوری HBM4E را آسان‌تر می‌کند.
بد نیست اشاره کنیم AMD روزگاری از حافظه HBM در کارت‌های گرافیک Radeon Fury خود استفاده می‌کرد که پهنای باند حافظه عظیمی داشتند. با این حال گران بودن این فناوری و ضعف ریزمعماری گرافیکی AMD باعث شد چندان نسبت به محصولات عادی انویدیا برتری نداشته باشند و در نهایت از آن دست کشید.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت