ظاهراً شرکت چینیCXMT قصد دارد تا پایان سال جاری میلادی نخستین رم‌های DDR5 خود مجهز به سلول‌های 4F² را روانه بازار کند. این ماژول حافظه DDR5 RDIMM مخصوص سرورها خواهد بود که فضای اشغال‌شده توسط هر سلول حافظه حدود یک‌سوم کاهش یافته است.

به گزارش Toms Hardware، رئیس شرکت CXMT از برنامه این شرکت برای عرضه نخستین محصول تجاری مبتنی بر فناوری 4F² خبر داد. در طراحی متداول حافظه‌های DRAM، سلول‌ها معمولاً از ساختاری با مساحت 6F² بهره می‌برند.

در این نمادگذاری، حرف F به حداقل ابعاد مشخصه در فرایند ساخت اشاره دارد. در مقابل، سلول‌های 4F² مساحتی معادل 2F در 2F دارند و در صورت استفاده از ابعاد ساخت یکسان، می‌توانند حدود یک‌سوم فضای کمتری نسبت به سلول‌های 6F² اشغال کنند.

این کاهش ابعاد می‌تواند به افزایش تراکم حافظه و جای دادن سلول‌های بیشتر منجر شود. البته این ارقام به ساختار سلول‌ها مربوط‌ بوده و به‌تنهایی تضمین نمی‌کنند که ظرفیت نهایی تراشه نیز دقیقاً به همان نسبت افزایش پیدا کند.

cxmtt-2.jpg

ترانزیستورهای عمودی؛ کلید افزایش تراکم حافظه DRAM

یکی از ویژگی‌های اصلی طراحی 4F²، استفاده از ترانزیستورهای عمودی است. در این رویکرد، ترانزیستور به‌جای قرارگیری در ساختار متداول، به‌صورت عمودی طراحی می‌شود تا فضای افقی کمتری از سلول حافظه اشغال کند.

اهمیت برنامه CXMT از این جهت است که فناوری سلول‌های 4F² تاکنون بیشتر در قالب تحقیقات و مقالات علمی مطرح بوده است. شرکت‌های بزرگی مانند سامسونگ و SK Hynix نیز درباره این ساختار تحقیق کرده‌اند، اما CXMT قصد دارد نخستین محصول تجاری خود مبتنی بر این فناوری را در قالب یک ماژول حافظه سروری عرضه کند.

انتخاب حافظه DDR5 RDIMM برای نخستین محصول این شرکت نیز قابل توجه است. ماژول‌های RDIMM یا Registered DIMM عمدتاً در سرورها و سیستم‌های سازمانی به کار می‌روند و به دلیل استفاده از رجیستر برای مدیریت سیگنال‌های کنترلی، برای پیکربندی‌های حافظه‌ای بزرگ و پرتراکم مناسب هستند.

با وجود اعلام زمان‌بندی عرضه، هنوز مشخص نیست محصول جدید CXMT با چه ظرفیت‌هایی تولید خواهد شد و چه سرعت انتقال داده‌ای خواهد داشت. همچنین اطلاعاتی درباره قیمت، بازده تولید انبوه و میزان دسترسی اولیه به این ماژول‌ها منتشر نشده است.

در صورت تحقق برنامه اعلام‌شده، عرضه این محصول می‌تواند گامی مهم برای CXMT در مسیر توسعه فناوری‌های پیشرفته DRAM باشد؛ هرچند ارزیابی میزان موفقیت آن در رقابت با محصولات سامسونگ و SK Hynix به مشخصات نهایی و عملکرد واقعی حافظه در محصولات تجاری بستگی خواهد داشت.

نظر خود را اضافه کنید.

ارسال نظر بدون عضویت در سایت

0
نظر شما پس از تایید مدیر منتشر خواهد شد.
  • هیچ نظری یافت نشد

ورود به شهرسخت‌افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار
ورود به شهر سخت افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار

نام و نام خانوادگی(*)
لطفا نام خود را وارد کنید

ایمیل(*)
لطفا ایمیل خود را به درستی وارد کنید

رمز عبور(*)
لطفا رمز عبور خود را وارد کنید

شماره موبایل
Invalid Input

جزو کدام دسته از اشخاص هستید؟(*)

لطفا یکی از موارد را انتخاب کنید