شرکت سامسونگ در رویداد GTC 2026 از نسل جدید حافظههای HBM4E رونمایی کرد. این حافظه با ارائه پهنای باند خیرهکننده ۴ ترابایت بر ثانیه و ظرفیت ۴۸ گیگابایت در هر ماژول، بهطور ویژه برای پلتفرم Rubin Ultra انویدیا طراحی شده است تا نیازهای پردازشی سنگین هوش مصنوعی را برطرف کند.
محور اصلی GTC 2026 برای غول فناوری کرهای، معرفی حافظه نسل بعدی HBM4E در کنار درایوهای SSD با رابط PCIe 6.0 و ماژولهای رم SOCAMM2 بود که همگی برای بهکارگیری در پلتفرمهای فعلی و آینده انویدیا طراحی شدهاند.
حافظه HBM4E؛ آماده برای پلتفرم Rubin Ultra انویدیا
حافظه HBM4E سامسونگ با ارائه سرعت ۱۶ گیگابیت بر ثانیه (Gbps) به ازای هر مسیر I/O، توانایی تامین پهنای باند ۴ ترابایت بر ثانیه در هر پشته را داراست. با استفاده از طراحی ۱۶ لایه (16-Hi)، تراکم حافظه در هر پشته به ۴۸ گیگابایت میرسد. این راهکار دقیقا برای پلتفرم Rubin Ultra انویدیا توسعه یافته است؛ پلتفرمی که با استفاده از چهار چیپلت گرافیکی و ۱۶ جایگاه حافظه HBM، توان پردازشی تراشههای نسل فعلی Rubin را دو برابر میکند.
با این مشخصات، پلتفرم Rubin Ultra میتواند به ظرفیت خارقالعاده ۳۸۴ گیگابایت حافظه HBM4E و پهنای باند کلی حافظه ۶۴ ترابایت بر ثانیه دست یابد. این ارقام در مقایسه با نسل فعلی Rubin با ۲۸۸ گیگابایت حافظه HBM4 و پهنای باند ۲۲ ترابایت بر ثانیه، یک جهش خیرهکننده محسوب میشود.
تولید انبوه HBM4 و فناوری اتصال مسی هیبریدی
علاوه بر مدل E، سامسونگ اعلام کرد که نسل ششم حافظههای خود یعنی HBM4 که برای پلتفرم Vera Rubin انویدیا طراحی شدهاند، هماکنون در مرحله تولید انبوه قرار دارند. این حافظهها بر پایه فرآیند پیشرفته کلاس ۱۰ نانومتری (1c) تولید شده و نرخ انتقال ۱۱.۷ گیگابیت بر ثانیه (قابل ارتقا تا ۱۳ گیگابیت بر ثانیه) را ارائه میدهند. همچنین سامسونگ از فناوری جدید «اتصال مسی هیبریدی» (HBC) رونمایی کرد که امکان تولید حافظههای ۱۶ لایه و بیشتر را فراهم کرده و مقاومت حرارتی را در مقایسه با روشهای قبلی بیش از ۲۰ درصد کاهش میدهد.
ارتقای زیرساختهای سرور با SOCAMM2 و SSDهای PCIe 6.0
در بخش زیرساختهای سازمانی، سامسونگ ماژولهای حافظه SOCAMM2 را معرفی کرد. این ماژولها که ترشههای حافظه LPDDR استفاده میکنند، هماکنون به تولید انبوه رسیدهاند و پهنای باند بالا را برای سرورهای هوش مصنوعی به ارمغان میآورند.
در بخش ذخیرهسازی نیز، SSD مدل PM1763 با رابط PCIe 6.0 برای سرعت انتقال داده بیسابقه معرفی شد که با مدل برنامهنویسی SCADA انویدیا سازگاری کامل دارد. همچنین مدل PM1753 برای بهبود بهرهوری انرژی در معماری مرجع BlueField-4 STX انویدیا به نمایش درآمد.
حافظههای کارآمد برای هوش مصنوعی لبه (Edge AI)
سامسونگ فراموش نکرده است که هوش مصنوعی نیازمند پردازش محلی نیز هست. این شرکت حافظههای فلش PM9E3 و PM9E1 را سیستمهای هوش مصنوعی شخصی مثل DGX Spark معرفی کرد. برای دستگاههای موبایل و پوشیدنیها نیز حافظههای LPDDR5X (با مصرف انرژی ۱۵ درصد کمتر و سرعت ۲۵ گیگابیت بر ثانیه) و نسل جدید LPDDR6 با سرعت ۳۰ تا ۳۵ گیگابیت بر ثانیه معرفی شدند تا نیازهای پردازشی هوش مصنوعی در لبه شبکه بدون افت عمر باتری تامین شود.
در همین رابطه بخوانید:
- استاندارد CAMM2 در حافظه های رم چیست و چه مزایایی نسبت به حافظه های RAM DIMM دارد؟
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت