بر اساس گزارشهای اخیر، کمپانی SK Hynix که در حوزه حافظه های رم و تراشههای NAND رقیب اصلی شرکت سامسونگ محسوب میشود به معرفی نسل بعدی تراشههای NAND خود نزدیک است. این شرکت در حال توسعه و نسل هشتم فناوری 3D NAND خود است و در آیندهای نزدیک عرصه تولید تراشه حافظه رم را تغییر خواهد داد. در ادامه این خبر شهر سخت افزار به بررسی اطلاعات منتشر شده از نسل هشتم تراشههای 3D NAND میپردازیم.
شرکت SK Hynix همواره با فناوری تراشه های NAND چند لایه خود در حوزهی تراشه های حافظه پیشرو بوده است. در آگوست سال گذشته، این شرکت از توسعه حافظه فلش 238 لایه 4D NAND خود خبر داد. پیشبینی میشود این حافظه در نیمه اول سال جاری وارد تولید انبوه شود. اما با ورود این فناوری به بازار، SK Hynix هماکنون چشمانداز خود را گسترش داده و در حال توسعهی نسل بعدی از تراشههای 3D NAND خود است.
در همین رابطه بخوانید:
- G.Skill حافظه رم Trident Z5 DDR5 را در کیت های ۴۸ گیگابایتی و سرعت خیره کننده ۸۰۰۰ مگاهرتز معرفی کرد
- جدیدترین اعضای تالار مشاهیر با نام GALAX DDR5-8000 HOF Pro معرفی شدند
- کورسیر از کیت های حافظه 24 و 48 گیگابایتی DDR5-5600 خود رونمایی کرد
تراشه حافظه 300 لایهای 3D NAND شرکت SK Hynix
امروز وبسایت معتبر و معروف Tom’s Hardware اطلاعات جدیدی در مورد نسل هشتم فناوری 3D NAND کمپانی SK Hynix منتشر کرده است. طبق اطلاعات منتشر شده، این تراشههای جدید دارای بیش از 300 لایه هستند که تولید ظرفیت 1 ترابیت (128 گیگابایت) را با تراکمی بسیار بالاتر 20 گیگابیت بر میلیمتر مربع امکانپذیر میکند. این تراشه حافظه 18 درصد سریعتر از حافظه 238 لایهای کنونی خواهد بود و به سرعت 194 مگابایت بر ثانیه هم خواهد رسید.
البته در نظر داشته باشید هماکنون هنوز هیچ خبر رسمی از این تراشههای حافظه 300 لایهای منتشر نشده است و اطلاعاتی که وبسایت Tom's Hardware نیز منتشر کرده به احتمال زیاد مربوط به یک ارائه خصوصی از قابلیتهای این تراشه است. با این وجود میتوان نزدیکترین زمان معرفی و عرضهی تراشههای نسل هشتم 3D NAND را سال 2024 دانست.
نظر شما در مورد تراشههای حافظه 300 لایهای شرکت SK Hynix چیست؟ آیا این تراشهها میتوانند به این کمپانی برای پیشی گرفتن از سامسونگ در بازار حافظه رم کمک کنند یا خیر؟
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت