به تازگی اولین بنچمارکها از تراشه جدید Exynos 2600 منتشر شده که یکی از مهمترین نکات، بهبود محسوس مدیریت حرارت در این تراشه است. ظاهراً سامسونگ توانسته با تغییرات معماری و طراحی حرارتی در این نسل، یکی از مشکلات قدیمی سری اگزینوس را مهار کند.
در همین رابطه دو گوشی جدید سامسونگ در بنچمارکهای سنگین شامل Antutu و 3DMark و CPU Throttling مورد آزمایش قرار داده است تا رفتار حرارتی تراشه در شرایط واقعی مشخص شود.
همچنین برای بررسی دقیقتر، سه بازی نسبتاً سنگین یعنی League of Legends: Wild Rift و Genshin Impact و Honkai Impact 3rd بهصورت متوالی و با بالاترین تنظیمات گرافیکی اجرا شدند. دمای محیط در زمان انجام تستها حدود 26 درجه سانتیگراد گزارش شده است.
بنچمارکهای جدید از تراشه اگزینوس 2600
نتایج ثبتشده نشان میدهد در اجرای League of Legends: Wild Rift، میانگین دمای مدل پایه Galaxy S26 حدود 32 درجه سانتیگراد بوده است. در ادامه، هنگام اجرای بیش از 15 دقیقهای Genshin Impact روی Galaxy S26 Plus، حداکثر دمای بخش جلویی دستگاه به حدود 38 درجه سانتیگراد رسید و دمای قسمت پشتی نیز بین 37 تا 37.5 درجه در نوسان بود.
در نهایت در بازی Honkai Impact 3rd، با وجود مشاهده افت فریم در برخی صحنهها، دمای بخش جلویی دستگاه به حداکثر 39 درجه سانتیگراد و دمای پشت گوشی کمی بالاتر از 38 درجه رسید. چنین اعدادی در مقایسه با نسلهای قبلی اگزینوس که گاهی با افزایش شدید دما و افت عملکرد مواجه میشدند، نتیجهای امیدوارکننده محسوب میشود.
به گفته سامسونگ نخستین عامل استفاده از فرآیند ساخت 2 نانومتری مبتنی بر معماری Gate-All-Around است. در این طراحی سهبعدی، گیت ترانزیستور بهطور کامل کانال متشکل از نانولایههای عمودی را احاطه میکند و همین موضوع باعث بهبود کنترل الکترواستاتیکی، کاهش ولتاژ کاری و افزایش بهرهوری انرژی میشود.
عامل دوم استفاده از فناوری بستهبندی Fan-Out Wafer-Level Packaging یا FOWLP است. در این روش بستهبندی سنتی مبتنی بر زیرلایه حذف شده و اتصالها مستقیماً روی سطح ویفر سیلیکونی انجام میشود.
در کنار این موارد سامسونگ فناوری جدیدی به نام Heat Path Block یا HPB را نیز در طراحی Exynos 2600 به کار گرفته است. در این ساختار یک هیتسینک مسی بهطور مستقیم با پردازنده در تماس قرار دارد و حافظه DRAM به بخش کناری منتقل شده است. این تغییر ساده اما مهم باعث کاهش مقاومت حرارتی تا حدود 30 درصد شده و انتقال حرارت از تراشه به سیستم خنککننده گوشی را سریعتر میکند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت