شرکت تایوانی تولیدکننده قطعات نیمههادی یا همان TSMC امروز در بیانیهای رسمی اعلام کرد که فرآیند کامل تولید تراشهها بر مبنای فناوری ساخت 7nm+ را آغاز نموده و تا پایان سال جاری شمسی وارد وادی جذاب 6 نانومتری میشود.
TSMC امروز به صورت رسمی اعلام کرد که با توسعه کامل و رساندن حد نصاب به اهداف شرکت، تولید تراشههای 7 نانومتری جدید که به اختصار 7nm+ نامیده شده و جهشی مشهود بر نسل قبلی تراشههای 7 نانومتری این شرکت است را آغاز نموده و از امروز سفارشات این تراشهها را در خط تولید خود قرار میدهد.
همانطور که میدانید تراشههای 7 نانومتری پلاس، پیشرفتی مشهود بر نسل قبلی خود هستند که پیش از این تراشههای شرکتهای بزرگ مانند Snapdragon 855 شرکت کوالکام، Apple A12 Bionic و Kirin 980 هواوی بر مبنای آن ساخته شده بودند.
اما همانطور که گفتیم نکته جذاب و جدیدتر اعلامیه TSMC این است که این شرکت اعلام نموده تولید نمونه آزمایشی تراشههای 6 نانومتری خود را نیز به زودی و تا پایان سال جاری شمسی آغاز خواهد نمود و میتوانیم امیدوار باشیم که تراشههای پرچمدار موبایل نسل بعدی مانند HiSilicon Kirin 1000 یا Snapdragon 865 بر مبنای آن ساخته شوند.
بر اساس صحبتهای آقای دیو چو، مدیر موسسه تحلیل آماری Hua Nan Securities در تایوان، سرمایهگذاران خارجی میتوانند با توجه به مراحل عملی شدن دریافت سفارشهای ثبت شده برای 7nm+ توسط TSMC که یکی از سریعترین زمانها از مرحله دریافت سفارش تا نهایی کردن آن است به آینده این فناوری در سال جاری و آینده بسیار امیدوار باشند.
در واقع تجاری سازی سریع استفاده از فناوری EUV که بروزرسانی واضحی بر تکنیک DUV قبلی در ساخت تراشههای 7 نانومتری است به TSMC کمک خواهد کرد تا بتواند میزان سفارشات قابل توجه بیشتری را در حوزه تراشه موبایل دریافت کرده و میتواند سهم بسیار گستردهای از بازار را در این حوزه به دست آورد.
همانطور که میدانید فناوری ساخت استفاده از امواج ماورای بنفش بینهایت کوتاه که به اختصار EUV نامیده میشود به طراحان و سازندگان تراشهها کمک میکند تا بتوانند در داخل تراشه، مدارات خود را با دقت بسیار بالاتری نسبت به DUV بسازند که طول موج امواج ماورای بنفش آن بیشتر از EUV است.
این فناوری در نهایت به طراحان کمک میکند تا بین 15 تا 20 درصد چگالی تراکم و مجتمع سازی طراحی ترانزیستورها در سطح تراشه را افزایش داده و در یک فضای ثابت علاوه بر جای دادن تعداد بیشتری ترانزیستور، مصرف توان کمتری داشته، تراشههای کوچکتری تولید کرد و بازدهی بیشتری داشت.
با جهش به فناوری 6 نانومتری اوضاع از این هم بهتر خواهد شد و طراحان میتوانند تا 18 درصد تراکم را بیشتر کرده و در عین حال مصرف توان باز هم کاهش پیدا کند.
نکته مهمی که باید در نظر داشت این است که فناوری 6 نانومتری مانند فناوری 7nm معمولی به نوعی یک فرآیند ساخت میاندوره است و اهداف TSMC در فرآیندهای 5 و 3 نانومتری محقق خواهد شد که قرار است طی دوره 5 ساله آینده پیاده سازی شده و وارد فاز تولید آزمایشگاهی شوند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت