شاید فکر می کنید که 3 گیگابایت حافظه اسمارت فون جدید شما خیلی عالی باشد اما این در مقایسه با نتایج جدید تحقیقات دانشگاه Rice به چشم هم نمی آید. محققان این دانشگاه به تشریح جزئیات یک resistive RAM یا (RRAM) که توسط تجهیزات معمولی و در دمای اتاق ساخته شده است پرداختند. این حافظه می تواند ظرفیتی در حدود 1 ترابایت داشته باشد.

در این حافظه از اکسید سیلیکون متخلخلی استفاده می شود که فضای خالی آن با فلزاتی مثل طلا و پلاتینیوم پر شده است. این امر نه تنها به تولید کنندگان، یک ماده اولیه آشنا را معرفی می کند بلکه سبب می شود حافظه ساخته شده مصرف انرژی کمتری هم داشته باشد. همچنین این RRAM ها نسبت به نمونه های قبلی خود متراکم تر هستند و می توانند در هر سلول خود تا 9 بیت اطلاعات ذخیره کنند در حالی که در حافظه های فلش کنونی این مقدار 3 بیت است. این حافظه ها طول عمری 100 برابر بیشتر از نمونه های کنونی دارند و در برابر گرما هم مقاوم هستند.

نتایج این تحقیقات ممکن است منجر به دست یابی به یک درایو با ظرفیت عالی و طول عمر زیاد - مانند SSD ها - شود. شرکت Crossbar که این تحقیقات به سفارش او انجام می شود ادعا کرده است که این حافظه ها می توانند 1TB اطلاعات را در حجمی به اندازه یک تمبر پستی ذخیره کنند.

به نظر می رسد این حافظه ها برای دستگاه های قابل حمل مانند گوشی های هوشمند و تبلت ها بسیار ایده آل و مناسب باشند و این بدین معنی است که این دستگاه ها برای مدت بسیار بسیار طولانی نگرانی از بابت کمبود فضای ذخیره سازی نخواهند داشت.

سرپرست این تحقیقات James Tour از قرارداد ساخت این حافظه ها با یک شرکت تولید کننده خبر داده است. نام این شرکت هنوز منتشر نشده است ولی بعید به نظر نمی رسد که این حافظه های با ظرفیت فوق العاده به صورت انبوه تولید و عرضه شوند.

منبع: Engadget

نظر خود را اضافه کنید.

ارسال نظر بدون عضویت در سایت

0
  • هیچ نظری یافت نشد

ورود به شهرسخت‌افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار
ورود به شهر سخت افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار

نام و نام خانوادگی(*)
لطفا نام خود را وارد کنید

ایمیل(*)
لطفا ایمیل خود را به درستی وارد کنید

رمز عبور(*)
لطفا رمز عبور خود را وارد کنید

شماره موبایل
Invalid Input

جزو کدام دسته از اشخاص هستید؟(*)

لطفا یکی از موارد را انتخاب کنید