سامسونگ روز جاری اعلام داشت، برای اولین بار در صنعت تراشه های حافظه، تولید انبوه تراشه های 8 گیگابیتی DDR4 را با بکارگیری فناوری ساخت 10 نانومتری آغاز کرده است. این تراشه ها در ساخت ماژول های حافظه رم DDR4 لپ تاپ ها و کامپیوترهای رومیزی مورد استفاده قرار می گیرند.
سامسونگ با بکارگیری لیتوگرافی برپایه تابش آرگون فلوراید، محدودیت های فعلی استفاد از نور ماوراء بنفش بسیار شدید را دور زده است. سامسونگ در سال 2014 نیز افتخار تولید اولین تراشه های حافظه 4 گیگابیتی DDR3 با بکارگیری فناوری ساخت 20 نانومتری را از آن خود کرده بود. فناوری ساخت 10 نانومتری تراشه های 8 گیگابیتی DDR4 DRAM، استفاده از ویفر را در مقایسه با تراشه های 20 نانومتری 4 گیگابیتی DDR3 DRAM تا بیش از 30 درصد بهبود می بخشد. این تراشه های DRAM جدید از نرخ تبادل داده 3200 مگابیت بر ثانیه پشتیبانی می کنند که بیش از 30 درصد بیشتر از نرخ تبادل نمونه های 20 نانومتری است. همچنین ماژول های حافظه رم جدیدی که با بکارگیری این تراشه ها ساخته می شوند، 10 تا 20 درصد انرژی کمتری مصرف می کنند که به صورت کلی مصرف سیستم های آتی را بهبود خواهد بخشید.
این تراشه ها ابتدا در ماژول های حافظه رم DDR4 با ظرفیت 4 گیگابایت به بالا برای استفاده در لپ تاپ های شخصی و 128 گیگابایت برای استفاده در سرورها مورد استفاده قرار می گیرند. در ادامه سال میلادی جاری، سامسونگ به گسترش محصولات جدید با بکارگیری این تراشه ها ادامه خواهد داد.
زمان عرضه ماژول های جدید و همچنین ولتاژ و میزان مصرف انرژی آنها تاکنون اعلام نشده است اما انتظار می رود با بهبود چشم گیری همراه باشند.
منبع: techpowerup
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت