کمپانی سامسونگ روز پنجشنبه خبر از آغاز تولید انبوه ماژول‌های حافظه DDR4 با ظرفیت 128 گیگابایت داده است. دست یابی به چنین ماژول‌های بسیار پر ظرفیتی با بکارگیری فناوری پشته سازی عمودی تراشه‌ها یا TSV بر روی هم ممکن شده است.

در تکنیک TSV، دو یا چندین تراشه با فاصله بسیار کمی بر روی هم قرار می‌گیرند و سپس توسط صد‌ها حفره و از اطریق الکتروهای فوق العاده باریک و کوچیکی به یک دیگر متصل می‌شوند. این فناوری پیشرفته با افزایش چشمگیر سیگنال رسانی همراه است. ماژول‌های حافظه 128 گیگابایتی سامسونگ متشکل از 114 تراشه DDR4 در قالب پکیج‌های 4 گیگابایت است، به عبارتی در هر سمت ماژول 18 پکیج 4 گیگابایتی و در مجموع 36 پکیج 4 گیگابایتی وجود دارد. هر پکیج خود متشکل از چهار تراشه 8 گیگابیتی 20 نانومتری است. به گفته سامسونگ، این ماژول‌ها از طراحی ویژه‌ای برخوردار هستند که تراشه پایینی هر پکیج 4 گیگابایتی از بافر و قابلیت‌هایی برای بهبود کارایی و کاهش مصرف انرژی برخوردار است.
ترکیب این فناوری‌ها در ‌‌نهایت به سرعت تا 2400 مگابیت بر ثانیه می‌انجامد که دوبرابر ماژول‌های 64 گیگابایتی LRDIMM آن هم با نصف مصرف انرژی است. به گفته سامسونگ، ماژول‌های LRDIMM که پیش‌تر پرظرفیت‌ترین ماژول‌های دنیا بودند، به دلیل بکارگیری ارتباط معمولی برای متصل کردن تراشه‌ها، مشکل مصرف بسیار بالای انرژی و افت کارایی داشتند.
اگر نسبت به ماژول‌های بسیار پرظرفیت سامسونگ هیجان زده شده‌اید و به تهیه آن‌ فکر می‌کنید، متاسفانه باید گفت که این ماژول‌ها فعلاً برای سرور‌ها و کاربردهای غیر خانگی طراحی شده‌اند، با این حال می‌توان به نسل بعدی کامپیوترهای رومیزی بسیار امیدوار بود.

منبع: techspot

مطالب مرتبط پیشنهادی

نظر خود را اضافه کنید.

ارسال نظر بدون عضویت در سایت

0
  • هیچ نظری یافت نشد

ورود به شهرسخت‌افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار
ورود به شهر سخت افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار

نام و نام خانوادگی(*)
لطفا نام خود را وارد کنید

ایمیل(*)
لطفا ایمیل خود را به درستی وارد کنید

رمز عبور(*)
لطفا رمز عبور خود را وارد کنید

شماره موبایل
Invalid Input

جزو کدام دسته از اشخاص هستید؟(*)

لطفا یکی از موارد را انتخاب کنید