مقامات شرکت SK Hynix به تازگی نقشه راه این شرکت طی چند سال آینده را به نمایش گذاشته و از برنامههای خود برای توسعه تراشه حافظه نسل جدید HBM4 خبر دادهاند. بر اساس این نقشه راه، باید در سال 2026 در انتظار تولید انبوه و عرضه تراشههای پرسرعت HBM4 باشیم.
در جریان رویداد SEMICON Korea 2024، شرکت SK Hynix از نقشه راه بلند پروازانه تراشههای حافظه با پهنای باند بالا (HBM) خود رونمایی کرد. معاون ریاست این شرکت نیز توضیح داد که حافظههای پیشرفته HBM3E قرار است در نیمه اول سال 2024 به تولید انبوه رسیده و SK Hynix نمونههای دارای پشته 8 لایه را به مشتریان عرضه خواهد کرد.

این گامهای بزرگ SK Hynix در راستای برآورده ساختن تقاضای فزاینده برای پهنای باند داده است و حافظههای HBM نسل جدید با ارائه 1.2 ترابایت در ثانیه برای هر پشته و 7.2 ترابایت بر ثانیه برای پیکربندی 6 پشته، به این تقاضا پاسخ میدهند.
به گفته کیم چونهوان (Kim Chun-hwan)، معاون ریاست SKHynix، از زمان ظهور ناگهانی سیستمهای مبتنی بر هوش مصنوعی تقاضا برای تراشههای حافظه با سرعت بالا افزایش چشمگیر یافته و به یک محرک کلیدی برای این شرکت تبدیل شده است. وی هشدار میدهد که همزمان با افزایش انتظارات مشتریان، رقابت بسیار شدیدی در صنعت تراشه و نیمههادی جریان دارد.
رقابت شدید برای پیشرفت در بخش تراشههای حافظه پرسرعت
به گزارش Techpowerup، اکنون صنعت نیمه هادی به نقطهای رسیده که در زمینه کوچکتر شدن فناوری ساخت با محدودیتهای شدیدی مواجه است، در نتیجه توجه شرکتها به تغییر در معماری حافظه و استفاده از مواد جدید برای افزایش عملکرد معطوف شده است.
SK Hynix نیز در این راستا توسعه تراشه حافظه HBM4 را آغاز کرده و قصد دارد فرایند آزمایش و تستهای عملی آن را در سال 2025 انجام دهد؛ در نتیجه سال 2026 شاهد تولید انبوه حافظه نسل جدید HBM4 و عرضه به مشتریان خواهیم بود.

به گفته متخصصان شرکت مایکرون (Micron)، حافظه HBM4 از یک رابط 2048 بیتی بهرهمند خواهد شد که نسبت به نسل قبلی HBM پهنای بیشتری داشته و حداکثر پهنای باند حافظه تئوری برای هر پشته را به بیش از 1.5 ترابایت بر ثانیه (TB/s) میرساند.
برای دستیابی به این پهنای باند بالا و همچنین مصرف انرژی معقول تراشهها، HBM4 سرعت انتقال داده در حدود 6 گیگاترانسفر بر ثانیه (GT/s) را هدف قرار داده است.
رابط گستردهتر و سرعت ذکر شده به HBM4 اجازه میدهد تا مرزهای پهنای باند را در مقایسه با نسل قبلی HBM به طور قابل توجهی افزایش داده و نیاز به محاسبات با کارایی بالا به ویژه در حوزه AI را برآورده میکند.
در همین رابطه بخوانید:
- نسل بعدی حافظه HBM4 با گذرگاه 2048 بیتی و پهنای باند دو برابری از راه میرسد
- آغاز تولید تراشههای حافظه حیرت انگیز HBM 3 برای محصولات انویدیا
از آنجایی که فضای کاری هوش مصنوعی با سرعت سرسام آوری در حال تکامل بوده و تقاضا برای دستیابی به سیستمهای محاسباتی پرسرعت رو به افزایش است، نوآوری در بخش حافظه باید همواره وجود داشته باشد. با آماده شدن HBM3E برای عرضه و برنامههای شرکتهای تولیدکننده تراشه از جمله SK Hynix و سامسونگ برای حافظه HBM4، میتوان گفت که این غولهای فناوری خودشان را برای چالشهای پیش رو آماده میکنند.












نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت