سامسونگ به تازگی و در رویداد Memory Tech Day 2023 به معرفی نسل بعدی حافظه‌های خود پرداخته است. در این رویداد حافظه HBM3E با سرعت قابل توجه 9.8 گیگابیت بر ثانیه و حافظه GDDR7 با سرعت 32 گیگابیت در ثانیه معرفی شدند. علاوه بر این حافظه LPDDR5X هم با سرعت 7.5 گیگابیت بر ثانیه به نمایش گذاشته شد.
در میان موارد معرفی شده، حافظه HBM3E سامسونگ با کد Shine Bolt و حافظه GDDR7 برای نسل بعدی برنامه‌های هوش مصنوعی را می‌توان از مهم‌ترین محصولات این رویداد قلمداد کرد.
سرعت سرسام آور حافظه HBM3E سامسونگ
حافظه HBM3E به سرعت قابل توجه 9.8 گیگابیت بر ثانیه رسیده و این بدان معناست که پهنای باند می‌تواند به بیش از 1.2 ترابایت بر ثانیه برسد. محصولات دیگری که در این رویداد معرفی شدند که عبارتند از حافظه رم 32 گیگابایتی DDR5 و حافظه GDDR7 با سرعت 32 گیگابیت در ثانیه که افزایش قابل توجهی در قابلیت‌های ذخیره‌سازی برای برنامه‌های کاربردی در سرورها را ارائه می‌دهد.
به گفته سامسونگ، حافظه GDDR7 در مقایسه با نسل قبلی 40 درصد افزایش عملکرد و 20 درصد بهبود بهره‌وری انرژی را به همراه خواهد داشت. این حافظه با سرعت انتقال تا 32 گیگابیت در ثانیه رتبه بندی می‌شوند که نشان دهنده بهبود 33 درصدی نسبت به حافظه GDDR6 است.
بر اساس اعلام wccftech حافظه GDDR7 همچنین 20 درصد بازده بالاتری را ارائه می دهد و با توجه به اینکه حافظه انرژی زیادی را برای پردازنده های گرافیکی سطح بالا مصرف می کند بسیار عالی است.
در همین رابطه بخوانید:
- SK Hynix حافظه‌های نسل بعدی HBM3E را با سرعت 8 گیگابیت بر ثانیه عرضه می‌کند
علاوه بر اولین حافظه LPDDR5X را داریم که سرعت آن 7.5 گیگابیت بر ثانیه بوده و انتظار می‌رود قواعد بازی در بازار DRAM برای کامپیوترها را تغییر دهد. همچنین شرکت سامسونگ حافظه DRAM با سرعت 9.6 گیگابیت بر ثانیه را مختص برنامه‌های هوش مصنوعی به نمایش گذاشت.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت