پس از انتشار شایعات و خبرهای مختلف در مورد نسل جدید از تراشه‌های HBM، سامسونگ امروز به صورت رسمی تایید کرد که تراشه‌های در استاندارد HBM4 خود را در سال 2025 تولید و عرضه خواهد کرد. این شرکت امروز برخی از مشخصات این نسل از حافظه‌های با پهنای باند بالای خود را هم اعلام کرد.
اگرچه حافظه‌های با پهنای باند بالا که با اختصار HBM نامیده می‌شوند کمتر از یک دهه پیش معرفی شده‌اند اما تاکنون ارتقای قابل توجه سرعت و عملکرد را تجربه کرده‌اند که استفاده از آن‌ها را در محصولات گوناگون موجب شده است. این تراشه‌ها تاکنون افزایش قابل توجه سرعت انتقال اطلاعات و همچنین ظرفیت حافظه محصولات مختلف را در پی داشته اند و هم اکنون یکی از اجزای مهم بسیاری از قطعات سخت افزاری محسوب می شوند.
به نظر می‌رسد استفاده از این تراشه‌ها در پردازنده‌ها و شتاب دهنده‌های هوش مصنوعی، سامسونگ را تشویق کرده است که نسبت به تولید نسل جدیدی از این تراشه‌ها اقدام کند. براساس گزارش جدید منتشر شده از سوی Tomshardware، سامسونگ امروز تایید کرد که تولید و عرضه نسل جدید از این تراشه‌های حافظه یعنی تراشه‌های HBM4 را در سال 2025 میلادی آغاز می‌کند. این تراشه‌های حافظه دارای رابط 2048 بیتی به ازای هر Stack هستند که دو برابر همین میزان در تراشه‌های HBM3 است. افزایش پهنای باند از 1.2 ترابایت بر ثانیه در تراشه‌های HBM3 به حداقل 2 ترابایت بر ثانیه، از دیگر دستاوردهای این تراشه‌های جدید است. تراشه‌های HBM3 از سال 2015 تاکنون مورد استفاده قرار می‌گیرند.
Sang Joon Hwang مدیر اجرایی بخش تراشه‌های DRAM و فناوری سامسونگ امروز در این باره اعلام کرد: «سامسونگ تاکنون تراشه‌های HBM2E و HBM3 را به تولید انبوه رسانده است و تراشه‌های HBM3E را هم به گونه‌ای تولید کرده که می‌توانند به سرعت 9.8 گیگابیت بر ثانیه برسند. این تراشه‌ها به زودی به دست مشتریان می‌رسد تا شاهد استفاده از آن‌ها در سیستم‌های با پردازش عملکرد بالا (HPC) و هوش مصنوعی باشیم. پس از آن انتظار می‌رود تراشه‌های HBM4 در سال 2025 معرفی شوند. این تراشه‌ها با استفاده از فناوری‌های تولیدی دمای بالا نظیر Non-conductive Film یا NFC و Hybrid Copper Bonding یا HCB بهینه‌سازی خواهند شد».
تاکنون اطلاعات محدودی از تراشه‌های HBM4 در دسترس قرار گرفته است اما مدیر بخش تراشه‌های DRAM سامسونگ امروز تایید کرده که در مراحل تولید آن‌ها از فناوری‌های جدیدی همچون NFC و HCB استفاده می‌شود تا شاهد عملکرد گرمایی بهتر و همچنین بهبود بازدهی انرژی آن‌ها باشیم. این فناوری‌ها همچنین استحکام بیشتر و دسترسی به رابط 2048 بیتی را هم در این محصولات تضمین می‌کنند.
در همین رابطه بخوانید:
- نسل بعدی حافظه HBM4 با گذرگاه 2048 بیتی و پهنای باند دو برابری از راه می‌رسد
- نسل بعدی پردازنده های گرافیکی انویدیا به تراشه HBM3E مجهز خواهد شد
- آغاز تولید تراشه‌های حافظه حیرت انگیز HBM 3 برای محصولات انویدیا
اگرچه سامسونگ تراشه‌های HBM4 را در سال 2025 معرفی می‌کند اما انتظار می‌رود تولید آن‌ها در سال 2025 یا 2026 آغاز شود؛ چرا که این شرکت به منظور دست‌یابی به فناوری‌های لازم برای تولید این تراشه‌ها باید تغییرات فراوانی در خطوط ساخت خود صورت دهد. قرار است تا زمان تولید این تراشه‌ها، سامسونگ تراشه‌های حافظه HBM3E را با سرعت 9.8 گیگابیت بر ثانیه و همچنین پهنای باند 1.25 ترابایت بر ثانیه به ازای هر Stack در دسترس مشتریان خود قرار دهد.
اوایل سال جاری میلادی بود که شرکت Micron اعلام کرد نسل بعدی از تراشه‌های HBM در سال 2026 عرضه می‌شوند و می‌توان به ازای هر Stack، ظرفیت 32 یا 64 گیگابایتی را از آن‌ها انتظار داشت. پهنای باند حداقل 2 ترابایت به ازای هر Stack نیز از این محصولات انتظار می‌رود که ارتقای قابل توجه نسبت به پهنای باند 1.2 ترابایتی تراشه‌های HBM3E را نشان می‌دهد. انتظار می‌رود نسل جدید از این تراشه‌های با پهنای باند بالا در آینده در تولید پردازنده‌ها و شتاب دهنده‌های هوش مصنوعی قدرتمندتر به کار گرفته شوند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت