شرکت کره‌ای سامسونگ در جریان رویداد Samsung Foundry Forum 2022 از برنامه‌های بلندمدت خود برای تولید تراشه‌های حافظه رونمایی کرد. این شرکت قصد دارد تا سال ۲۰۲۷ حافظه‌های رم DDR6 با سرعت بیش از ۱۰ گیگابیت در ثانیه و تراشه‌های V9 NAND را عرضه کند.
به گزارش Computerbase، سامسونگ در جریان رویداد Samsung Foundry Forum 2022 از برنامه‌های بلندمدت خود برای تولید تراشه‌های حافظه رونمایی کرده است. بر اساس تصاویر منتشر شده از این رویداد، سامسونگ قصد دارد در سال ۲۰۲۳ وارد مرحله تولید تراشه‌های ۱ نانومتری شود.
علاوه بر این قرار است ظرفیت تراشه‌های حافظه این شرکت کره‌ای به ۲۴ گیگابایت (تراشه‌های ۳ گیگابایتی) تا ۳۲ گیگابایت (تراشه‌های ۴ گیگابایتی) افزایش یابد. سرعت انتقال داده در این تراشه‌های جدید چیزی بین ۶.۴ گیگابیت در ثانیه تا ۷.۲ گیگابیت در ثانیه تخمین زده می‌شود.
برنامه‌های بلند پروازانه سامسونگ
Samsung در رابطه با حافظه ویدئویی هم برنامه‌های جامعی دارد و احتمالاً سال آینده شاهد معرفی و استفاده از اولین تراشه‌های حافظه ویدئویی GDDR7 خواهیم بود؛ بنابراین ممکن است برخی کارت‌های گرافیک نسل جدید انویدیا و AMD به حافظه‌های GDDR7 مجهز شوند.
این شرکت معتبر کره‌ای همچنین قصد دارد در سال ۲۰۲۶ حافظه‌های رم DDR6 را به بازار عرضه کرده و در سال ۲۰۲۷ هم به سرعت ۱۰ گیگابیت در ثانیه (Gbps) دست یابد. در نقشه راه سامسونگ همچنین به عرضه تراشه‌های V9 NAND در سال ۲۰۲۴ اشاره شده است.
مدتی قبل و در جریان رویداد Tech Day 2022 اعلام شد که Samsung در حال توسعه نسل نهم تراشه‌های V-NAND است و حالا تأیید شده که کم‌تر از یک سال تا رونمایی از آن فاصله داریم. طبق چهارچوب زمانی و برنامه‌ریزی‌های سامسونگ، این تراشه اواسط سال ۲۰۲۴ وارد مرحله تولید انبوه خواهد شد.
در همین رابطه بخوانید:
- حافظه های رم فوق سریع DDR5-7200 با قیمتی در حد کارت گرافیک وارد بازار شدند
- احتمال افزایش قیمت SSD و حافظه رم
چند روز قبل گزارشاتی منتشر شد که نشان می‌داد سامسونگ به دنبال ساخت تراشه‌های NAND با بیش از هزار لایه است. حالا این شرکت تأیید کرده که تا سال ۲۰۳۰ به این فناوری دست خواهد یافت تا بتوان نیاز مبرم دنیای فناوری به فضای ذخیره‌سازی پرسرعت و با ظرفیت بالا را رفع کند.
رکورد تولید ۱ تریلیون گیگابایت حافظه در دستان Samsung
جونگ بای لیی، رئیس Samsung Electronics و همچنین مسئول بخش تولید حافظه این شرکت در رویداد Samsung Tech Day 2022 به سخنرانی پرداخت و عنوان کرد که سامسونگ طی ۴۰ سال گذشته در مجموع بیش از ۱ تریلیون گیگابایت حافظه تولید کرده است.
وی مدعی شد که شرکت سامسونگ در زمینه تولید DRAM حدود ۳۰ سال و در زمینه تولید NAND بیش از ۲۰ سال پیشرو بوده است. جونگ بای لیی با وعده دستیابی به قدرتمندترین ترکیب از فناوری‌های حافظه طی یک دهه آینده، اعلام کرد که Samsung در حال توسعه نسل پنجم DRAM کلاس ۱۰ نانومتری و نسل نهم NAND عمومی (یا V-NAND) است.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت