کمپانی کره‌ای SK Hynix امروز خبر از توسعه حافظه HBM2E DRAM داد که ادعا می‌کند بالاترین پهنای باند حافظه موجود را دارا است. HBM2E در مقایسه HBM2 نسل قبل، داری 50 درصد پهنای باند بیشتر و 100 درصد ظرفیت بالاتر است.
تراشه‌های حافظه SK Hynix HBM2E با برخورداری از سرعت انتقال 3.6 گیگابیت در ثانیه به ازای هر پین، قادر به ارائه پهنای باند 460 گیگابایت در ثانیه به ازای هر پکیج هستند و از 1,024 ورودی- خروجی داده بهره می‌برند. این سازنده کره‌ای با بهره گیری از فناوری TSV، هشت تراشه 16 گیگابیتی (2 گیگابایتی) را به طور عمودی بر روی هم نصب کرده که حاصل آن ظرفیت 16 گیگابایت با تنها یک پکیج حافظه است.
به وضوح HBM2E یک راهکار حافظه ایده آل برای استفاده در پردازنده‌های گرافیکی پرقدرت، ابر کامپیوترها، شتاب دهنده‌ها و سیستم‌های هوش مصنوعی است که به بالاترین سطح از کارایی حافظه نیاز دارند. بر خلاف تراشه‌های حافظه DRAM معمولی که در سطح بُرد نصب می‌شوند، تراشه‌های HBM مستقیماً بر روی همان برد فایبرگلاس پردازنده گرافیکی نصب می‌شوند که امکان انتقال داده‌ها با سرعت بسیار بیشتر را می‌دهد.
SK Hynix که برای اولین بار در سال 2013 میلادی نسل اول حافظه HBM را ارائه کرد، تولید انبوه HBM2E را در سال 2020 آغاز می‌کند. آن‌طور که این سازنده کره‌ای می‌گوید، سال 2020 شاهد تقاضای بازار برای حافظه‌های پرسرعت HBM2E خواهیم بود.
با چهار پکیج 16 گیگابایتی HBM2E می توان به 64 گیگابایت حافظه با پهنای باند 1.84 ترابایت در ثانیه دست پیدا کرد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت