احتمالاً می دانید سامسونگ تولید تراشههای پرطرفدار B-die را متوقف میکند و به تولید تراشههای پرظرفیتتر چون A-die روی میآورد. این سازنده کرهای تولید آزمایشی پکیجهای حافظه 32 گیگابیتی را آغاز کرده است که با تنها دو عدد از آنها میتوان یک ماژول 8 گیگابایتی DDR4 تولید کرد. در حال حاضر یک تراشه A-die با فرکانس 2666 مگاهرتز مطرح است.
سال میلادی گذشته سامسونگ خبر از آغاز تولید انبوه نسل دوم از تراشههای حافظه DDR4 با فناوری ساخت 10 نانومتری داد و حالا افزایش ظرفیت تراشهها با مزایایی همراه خواهد بود. در حقیقت پکیج حافظه 32 گیگابیتی 2666 مگاهرتزی سامسونگ از دو قطعه سیلیکونی 16 گیگابیتی 10 نانومتری تشکیل شده است. این سازنده پکیج حافظه 32 گیگابیتی خود را در دو نسخه عرضه میکند که تفاوت آنها در آرایش بانکهای حافظه است. نوع 1G x16 توسط کنترلر به عنوان دو تراشه تشخیص داده میشود اما دیگری به عنوان یک حافظه یکپارچه دیده میشود.
پکیجهای دوقلو سامسونگ در دو گونه با 78 یا 96اBall تولید میشوند و با ولتاژ استاندارد 1.2 ولت کار میکنند. البته امکان عرضه تراشههای اورکلاک شده با فرکانس بالاتر وجود خواهد داشت، بنابراین شاهد ماژولهای DDR4 با فرکانس بیش از 2666 مگاهرتز نیز خواهیم بود.
در استاندارد فعلی DDR4 که به تأیید JEDEC رسیده است، پکیجهای 32 گیگابیتی جایی ندارند. از این رو سازندگان تراشههای DRAM باید خود دست به کار شوند و از فناوریهای پیشرفته خود برای ساخت پکیجهای با ظرفیت بالاتر که هنوز با این استاندارد مطابقت دارند استفاده کنند. هرچند پکیجهای حافظه متشکل از دو قطعه سیلیکونی اتفاق تازهای در این صنعت نیستند، اما سامسونگ تنها سازندهای است که پکیج 32 گیگابیتی 2666 مگاهرتزی دارد.
در نهایت انتظار میرود ماژولهای حافظه DDR4 مجهز به تراشههای A-die سامسونگ از راه برسند. مزیت اصلی این ماژولها هزینه ساخت پایینتر و البته امکان دست یابی به ظرفیتهای بالاتر است.
در این مقطع سامسونگ نمونه هایی از این پیکج های حافظه را تولید می کند تا در اختیار شرکای خود قرار بدهد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت