اگر در انتظار ظهور نسل جدید از فناوری های حافظه نشسته اید، اطلاعات جالبی برای شما داریم. کمپانی Rambus که در زمینه ثبت گواهی های تجاری فعالیت دارد، اخیراً میزبان یک رویداد بوده و چشم اندازی خوبی از استانداردهای حافظه HBM3 و DDR5 ارائه کرده است.
هرچند هنوز استاندارد حافظه HBM3 در دست توسعه است و احتمال تغییر مشخصات آن وجود دارد، اما پهنای باند 4000 مگابیت بر ثانیه از آن انتظار می رود. همچنین اطلاعات منتشر شده نشان می دهد معماری HBM3 پیچیده تر از HBM2 خواهد بود و تعداد لایه های حافظه چند طبقه افزایش خواهد یافت که نتیجه آن افزایش ظرفیت و کارایی خواهد بود. Rambus به فناوری ساخت تراشه های حافظه HBM3 نیز اشاره کرده است که نشان می دهد با فناوری ساخت 7 نانومتری تولید خواهند شد. این نشان می دهد دست کم تا سال 2019 خبری از HBM3 نخواهد بود.
هم زمان به DDR5 نیز اشاره شده که جایگزین DDR4 فعلی خواهد شد. هدف تعیین شده برای نسل جدید پهنای باند 4800 الی 6400 مگابیت بر ثانیه است. تراشه های حافظه DDR5 نیز با بکارگیری فناوری ساخت 7 نانومتری تولید خواهند شد. گفته می شود DDR5 ظرفیت بیشتر، پهنای باند دوبرابری مصرف پایین تر انرژی را به ارمغان می آورد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت