پس از اعلان هفته گذشته، شرکت سامسونگ فاندری توانست برای اولین بار فرایند تولید تراشه 3 نانومتری خود را به صورت رسمی آغاز کند. این فرایند تولید از فناوری 3 نانومتری GAAFET استفاده می‌کند که در مقایسه با فناوری ترانزیستورهای FinFET مزایای بسیاری دارد.
شرکت سامسونگ ساعاتی پیش به صورت رسمی اعلام کرد که اولین ویفرهای تراشه 3 نانومتری خود را که از ترانزیستورهای اثر میدانی با گیت سراسری یا همان Gate All Around Field Effect Transistors (GAAFET) به صورت تجاری مورد استفاده قرار می‌دهد.
در مقایسه با نسل قبلی ترانزیستورهای FinFET، در GAAFET ارتقایی بارز در همه پارامترهای فنی تراشه‌های 3 نانومتری خواهیم دید که به صورت بارزی در توان مصرفی، توان پردازشی و صرفه‌جویی در استفاده از مواد، ارتقای مشهودی حاصل می‌شود. علت اصلی این ارتقا، کاهش ابعاد ترانزیستورها و ولتاژ سوئیچ گیت ترانزیستورهاست که دو عامل اصلی در مصرف توان هستند.
در مقایسه با فناوری نانوسیم، نانوصفحات با کانال‌های گسترده‌تر، عملکرد بالاتر و کارایی بهتری را ممکن می‌سازند. مشتریان سامسونگ با تنظیم عرض نانوصفحه می‌توانند مصرف انرژی الکتریکی و عملکرد را بر اساس نیاز خود سفارشی کنند.
در مقایسه با تراشه های 5 نانومتری، شرکت تولید تراشه سامسونگ در کره، 23 درصد بهبود عملکرد، 45 درصد کاهش مصرف برق و کاهش 16 درصدی مساحت را برای تراشه‌های جدید وعده داده است. نسل دوم تراشه های 3 نانومتری این شرکت 50 درصد بازده انرژی بهتر، 30 درصد عملکرد بهتر و 35 درصد مساحت کمتری را ارائه می‌دهند.
به صورت کلی باید گفت، تراشه‌های تولید شده با این فناوری به طور ویژه در محصولات پیشرفته مانند گوشیهای هوشمند و تبلتهای رده بالای ساخت شرکتهایی مانند سامسونگ، اپل، شیائومی و دیگر شرکتهای فعال در این صنعت مورد استفاده قرار خواهند گرفت.
Samsung Foundry برای کمک به مشتریان و شرکای تراشه‌های خود در طراحی تراشه‌های بهتر و تأیید طرح‌های آن‌ها، محیط طراحی پایداری را نیز فراهم کرده است. مشتریان می توانند از طریق شرکای SAFE (اکوسیستم ریخته‌گری پیشرفته سامسونگ) از جمله Ansys، Cadence، Siemens و Synopsys، زمان مورد نیاز برای طراحی تراشه ها، تأیید و فرآیند امضا، و افزایش قابلیت اطمینان محصول را کاهش دهند.
دکتر سیونگ چوی، رئیس و رئیس کسب و کار ریخته گری سامسونگ الکترونیکس، در این زمینه میگوید:
سامسونگ به سرعت رشد کرده است، زیرا ما همچنان اصل پیشروی خود در به کارگیری فناوری های نسل بعدی در تولید، مانند اولین ترانزیستورهای با گیت فلزی با کیفیت بالا، FinFET، صنعت ریخته گری سیلیکون، و همچنین EUV رشد کرده است. ما به دنبال ادامه این رهبری با اولین فرآیند 3 نانومتری جهان با MBCFETTM هستیم. ما به نوآوری فعال در توسعه فناوری رقابتی و ایجاد فرآیندهایی که به تسریع دستیابی به بلوغ فناوری کمک می کند، ادامه خواهیم داد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت