بنابر گزارشهای منتشر شده سامسونگ اولین شرکتی خواهد بود که تولید تراشه‌های 3 نانومتری را آغاز کرده در این زمینه رقیب سرسخت تایوانی خود را به صورت غیرمنتظرهای کنار می‌زند.
به گزارش رسانه کرهای یونهاپ نیوز، انتظار می رود سامسونگ شروع تولید انبوه تراشه های 3 نانومتری را هفته آینده اعلام کند. این بدان معناست که این شرکت از TSMC که انتظار می‌رود تولید تراشه‌های 3 نانومتری را در نیمه دوم سال جاری آغاز کند، پیشی خواهد گرفت.
اما از دید فنی فناوری ساخت 3 نانومتری سامسونگ می‌تواند اشغال فضای سطح یک مدل تراشه را تا 35 درصد کاهش داده و در عوض موجب افزایش عملکرد تا 30 درصد و همچنین صرفهجویی بیشتر توان تا 50 درصد در مقایسه با لیتوگرافی معروف 5 نانومتری باشد که در چند سال در تراشه‌های پرچمداری مانند Snapdragon 888 و Exynos 2100 مورد استفاده قرار گرفت.
این فناوری به صورت پایه از تکنیک ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی جدید GAA (با گیت سرتاسری) استفاده می‌کند. از نگاه علم الکترونیک، این ترانزیستور را می‌توان نسل بهبود یافتهای نسبت به ترانزیستورهای معروف و محبوب FinFET دانست که به تولیدکننده اجازه می‌دهد بدون ایجاد محدودیت در هدایت جریان ترانزیستور، ابعاد کوچکتری در قیاس با نسل قبلی داشته باشد.
البته با به این نکته نیز اشاره کنیم که ترانزیستورهای GAA یا به طور صحیح ترانزیستورهای اثر میدانی با گیت سرتاسری (GAAFET) از نوع ارتقا یافته موسوم به MBCFET هستند که تفاوت آنها با ایده اولیه GAA در تصویر زیر به خوبی نمایش داده شده است.
جالب است بدانید که جو بایدن، رئیس جمهور آمریکا ماه گذشته از کارخانه سامسونگ در پیونگ تاک کره‌جنوبی بازدید کرد تا در مراسم نمایش فناوری 3 نانومتری این کمپانی، شرکت کند.
همچنین سال گذشته صحبت‌هایی مبنی بر اینکه این شرکت می‌تواند مبلغی عظیم بالغ بر 10 میلیارد دلار برای ساخت کارخانه ریخته گری تراشه‌های پیشرفته 3 نانومتری خود در ایالت تگزاس سرمایه گذاری کند، وجود داشت. ظاهراً این سرمایه گذاری به 17 میلیارد دلار افزایش یافته و انتظار می‌رود کارخانه مذکور در سال 2024 فعالیت خود را آغاز کند.
جدای از مسائل فوق بزرگترین چالش پیرامون لیتوگرافی جدید، میزان عملکردی است که از آن انتظار داریم. باید متذکر شد که سامسونگ تا به امروز هیچ اطلاعاتی فنی و رسمی پیرامون مقایسه سطح عملکردی لیتوگرافی 3 و 4 نانومتری منتشر نکرده و به همین دلیل است که برخی تحلیلگران بر وجود مشکلات احتمالی عملکرد این فناوری، تردیدهایی را مطرح کردهاند.
نکته آخر در مورد فناوری جدید ساخت 3 نانومتری سامسونگ این است که سال آینده نسل دوم آن وارد فاز عملی شده و انتظار می‌رود این شرکت نسل بعدی که نوع بهینهشده MBCFET است را نیز در سال 2025 وارد مدار تولید کند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت