همانطور که میدانید حدود دو ماه است شرکت TSMC لقب بزرگترین تولیدکننده تراشه دنیا را به خود اختصاص داده است و با فناوری ساخت 5 نانومتری خود توانسته مشتریهای بزرگی چون اپل و AMD را به خود جذب کند. دیروز این شرکت در نشست سالانهاش برنامهی خود برای فناوری ساخت 3 نانومتری را اعلام کرد.
شرکت تایوانی TSMC با برگزاری نشست تکنولوژی سالانه، نقشهی خود برای 2 سال آینده را با علاقمندان به اشتراک گذاشته. TSMC در این نشست فناوری ساخت جدید N12e خود برای دستگاههای اینترنت اشیا (IoT) و تکنولوژی 3DFabric را معرفی کرده و برنامهی خود برای مهاجرت از فناوری ساخت 5 نانومتری به 3 نانومتری را مشخص نمود.
3DFabric یک فناوری برای تولید تراشه های چند لایه (چند طبقه) و تراشه های متشکل از چند قطعه سیلیکونی است. این فناوری امکان طراحی تراشه های گوناگون و متصل کردن آنها بر روی یک قطعه سیلیکونی واحد را می دهد. اینتل پیش تر چنین فناوری ارائه کرده بود و در محصولات AMD هم شاهد بکارگیری یک فناوری مشابه برای تعبیه حافظه HBM بر روی پردازنده گرافیکی بودیم.
اگر به یاد داشته باشید اخیراً تعداد تراشههای 7 نانومتری ساخته شده توسط TSMC به رقم سرسامآور 1 میلیارد رسید. اما غول تراشهساز تایوانی مدعی شد چیپستهای 5 نانومتری خود نسبت به تراشههای 7 نانومتری نسل قبل (با اسم رمز N7) برتری کامل داشته و میتوان از آنها بهبود عملکرد 15 درصدی و کاهش 30 درصدی مصرف انرژی را انتظار داشت.
تایوانیها هماکنون قادر به تولید تراشههای 5 نانومتری (N5) بوده و گمان میرود اپل بهعنوان بزرگترین مشتری TSMC از چیپست ساخته شده با این فناوری در گوشیهای سری آیفون 12 استفاده کند.
شرکت تولیدکننده نیمههادی تایوانی (به اختصار: TSMC) در مورد فناوری ساخت 3 نانومتری خود یا همان تکنولوژی N3 نیز بیان کرد که برای این فناوری یک معماری کاملاً جدید را در نظر دارد. TSMC افزود این معماری با معماری سامسونگ کاملاً متفاوت بوده و تراشههای ساخته شده با فناوری N3 را تا نیمهی دوم سال 2022 به تولید انبوه میرساند.
البته بین فناوری ساخت 5 نانومتری و 3 نانومتری فاصلهی زیادی وجود دارد و برای رسیدن به تکنولوژی N3 هنوز چند گام باقی مانده است. اولین گام در این راستا فناوری N5P است؛ این فناوری ساخت از نظر اندازه با همان 5 نانومتری برابر است اما افزایش 5 درصدی سرعت و کاهش 10 درصدی انرژی مصرفی را بههمراه خواهد داشت.
قدم بعدی فناوری N4 است که با پیشرفت و تکامل لایههای EUV قابل دستیابی بوده و گفته میشود تا سه ماههی چهارم سال 2021 توسعه مییابد. پس این فناوری برای تولید و توزیع در اوایل سال 2022 آماده میشود.
غول تایوانی بر خلاف سامسونگ که از ترانزیستورهای GAAFET خود استفاده میکند، قصد دارد چیپستهای 3 نانومتری خود را با ترانزیستورهای FinFET بسازد. طبق گفتههای TSMC با این فناوری ساخت شاهد افزایش 10 تا 15 درصدی عملکرد و کاهش 30 درصدی مصرف انرژی نسبت به تکنولوژی ساخت 5N خواهیم بود. تراشههای 3 نانومتری از نظر اندازه نیز تغییرات چشمگیری داشته و علاوه بر بهبود 70 درصدی تراکم ترانزیستور، مساحتی در حدود 0.58 برابر یک تراشهی 5 نانومتری را اشغال میکنند.
البته این کاهش اندازه فقط برای پردازنده عملی بوده و تمام اجزای یک تراشه را در بر نمیگیرد. بهدلیل محدودیتها و کاهش عملکردی که با کوچک کردن بیش از حد تراشههای SRAM بوجود میآیند، چیپستهای 3 نانومتری در عمل فقط 26 درصد کوچکتر میشوند.
اگر شما هم با خواند این متن به فناوری ساخت جدید TSMC علاقمند شده و منتظر اولین گوشیها و قطعات الکترونیکی مجهز به این چیپستها هستید، باید برای معرفی این محصولات تا اواخر سال 2022 و اوایل 2023 صبر کنید.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت