اینتل در رویداد Foundry Direct جزئیات فرایند ساخت 14A و نسخه جدید -PT18A با قابلیت پشته‌سازی سه‌بعدی Foveros Direct را معرفی کرد. اینتل با این نقشه راه، به دنبال بازپس‌گیری رهبری صنعت تراشه و رقابت جدی با غول تایوانی TSMC است.

اینتل در رویداد Intel Foundry Direct 2025 که در سن خوزه کالیفرنیا برگزار شد، آخرین پیشرفت‌ها و نقشه راه بلندپروازانه خود در حوزه تولید تراشه را به نمایش گذاشت. این شرکت تأیید کرد که در حال همکاری با مشتریان برای فناوری ساخت آتی خود، یعنی 14A (معادل 1.4 نانومتر) است.

نقشه راه گره‌های پردازشی اینتل

بر اساس اعلام اینتل، چندین مشتری بزرگ قصد دارند تا تراشه‌های آزمایشی مبتنی بر فناوری 14A را تولید کنند. این فناوری با نسخه بهبودیافته‌ای از تکنولوژی انتقال توان از پشت تراشه (Backside Power Delivery) اینتل به نام PowerDirect همراه خواهد بود. همچنین تأیید شد که فرایند مهم 18A اکنون وارد مرحله تولید آزمایشی شده و تولید انبوه آن طبق برنامه برای اواخر سال جاری میلادی زمان‌بندی شده است.

پیشرفت‌های کلیدی در 18A و معرفی نسخه PT

اینتل همچنین از پیشرفت‌های قابل توجهی در خانواده فرایند 18A پرده برداشت. فرایند 18A-P که نسخه با عملکرد بالا (High-Performance) از 18A است، در حال حاضر ویفرهای اولیه آن در خطوط تولید قرار دارند. علاوه بر این، اینتل در حال توسعه نسخه جدیدی به نام -PT18A است که از فناوری پیشرفته پشته‌سازی سه‌بعدی Foveros Direct با اتصالات هیبریدی (Hybrid Bonding) پشتیبانی می‌کند. این قابلیت به اینتل اجازه می‌دهد تا برای اولین بار، چیپلت‌ها را به صورت عمودی بر روی پیشرفته‌ترین فناوری ساخت خود اسمبل کند.

مشخصات فرایند 18A-P

فناوری Foveros Direct 3D یک پیشرفت حیاتی برای اینتل محسوب می‌شود، زیرا قابلیتی را فراهم می‌کند که رقیب اصلی آن، یعنی TSMC، پیش از این در محصولات تجاری مانند پردازنده‌های سری 3D V-Cache شرکت AMD به کار گرفته است. نکته قابل توجه این است که پیاده‌سازی اینتل از نظر تراکم اتصالات بین تراشه‌ها با فناوری مشابه TSMC قابل رقابت است و حتی در برخی معیارها با آن برابری می‌کند. اینتل قصد دارد در این فناوری به فاصله بین پین (Pitch) کمتر از 5 میکرون دست یابد که بهبود قابل توجهی نسبت به هدف اولیه 10 میکرون تا سال 2023 است.

نگاهی به آینده گره 14A و رقابت با TSMC

فناوری ساخت 14A اینتل، که نسل بعدی پس از 18A محسوب می‌شود، هم‌اکنون در دست توسعه قرار دارد و تولید آزمایشی آن برای سال 2027 برنامه‌ریزی شده است. اگر همه چیز طبق برنامه پیش برود، 14A اولین فرایند عملیاتی در صنعت نیمه‌هادی خواهد بود که از لیتوگرافی High-NA EUV بهره می‌برد. این در حالی است که فرایند ساخت A14 شرکت TSMC، برای عرضه در سال 2028 برنامه‌ریزی شده است و از دستگاه‌های High-NA EUV برای لیتوگرافی استفاده نخواهد کرد.

مشخاصت گره‌ پردازشی intel 14A

اینتل اعلام کرده که نسخه‌های اولیه کیت طراحی (PDK) فرآیند 14A را در اختیار مشتریان خود قرار داده است. تراشه‌های 14A همچنین از نسل دوم فناوری انتقال توان از پشت تراشه بهره خواهند برد که با نام PowerDirect شناخته می‌شود و اتصالات مستقیم‌تری به ترانزیستورها برای بهبود بهره‌وری انرژی فراهم می‌کند. این در حالی است که TSMC قصد دارد فناوری مشابهی به نام Super Power Rail (SPR) را با فرایند A16 خود در اواخر سال 2026 معرفی کند.

نظر شما چیست؟ آیا اینتل خواهد توانست این برنامه جسورانه را با موفقیت اجرا کند و بار دیگر به فناوری قابل رقابت با TSMC دست یابد؟

نظر خود را اضافه کنید.

ارسال نظر بدون عضویت در سایت

0
نظر شما پس از تایید مدیر منتشر خواهد شد.
  • هیچ نظری یافت نشد

ورود به شهرسخت‌افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار
ورود به شهر سخت افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار

نام و نام خانوادگی(*)
لطفا نام خود را وارد کنید

ایمیل(*)
لطفا ایمیل خود را به درستی وارد کنید

رمز عبور(*)
لطفا رمز عبور خود را وارد کنید

شماره موبایل
Invalid Input

جزو کدام دسته از اشخاص هستید؟(*)

لطفا یکی از موارد را انتخاب کنید