در هفتهای که گذشت سامسونگ نقشهراه بروز شدهی فناوریهای ساخت خود را معرفی کرد و بر اساس آن باید در سال ۲۰۱۸ منتظر فناروی ساخت ۷ نانومتری مبتنی بر تکنولوژی EUV باشیم. همچنین برای اولین بار فناوری ۳ نانومتری هم در این نقشه پدیدار گشت.
Samsung Foundry در هفتهی جاری نقشه راه تولید پردازندههای خودش را بروز کرد و بر اساس اطلاعات به دست آمده، نه تنها این نقشه راه به نسبت نمونهی قبلی دچار تغییراتی شده است، بلکه اولین جزییات مرتبط با فناوری ساخت ۳ نانومتری سامسونگ که تقریباً هفت سال با آن فاصله داریم هم به آن اضافه شده است. همچنین سامسونگ اعلام کرده است که آنها در نظر دارند پس از امسال فرآیند تولید چیپهای خودشان را با فناوری ساخت 7LPP و لیتیوگرافی extreme ultraviolet موسوم به EUVL شروع کنند.
اما یکی از نکاتی که در نقشه راه جدید سامسونگ به چشم میآید، سرعت بخشیدن آنها به فرآیند ورود تکنولوژیهای جدید است و کاملاً مشخص است که سامسونگ میخواهد با حفظ برتری خود و حتی افزایش آن، در انتها بتواند Socهای بهتری را به خصوص برای گوشیهای هوشمندش به عنوان یکی از منابع درآمدی خود تولید کند.
7LPP در راه، 5LPP/6LPP حذف و 5LPE معرفی شد
سامسونگ در گذشته تصمیم خود مبنی بر شروع فرآیند تولید چیپهای خودش بر مبنای فرآیند ساخت 7LPP(7 nm low power plus) و ابزارهای EUVL اعلام کرده بود و همچنان هم این مسئله تغییری نکرده است. تنها نکتهی مهم در این مسئله زمان شروع تولید انبوه چیپهای این کمپانی با استفاده از این تکنولوژي و ابزارآلات Twinscan NXE کمپانی ASML است.
بد نیست بدانید که سامسونگ هزینههای بالای تولید چیپهای خودش را بعدها با فروش محصولات کاملی همانند گوشیهای هوشمندش جبران میکند و این گونه است که آنها صرفاً چند ماه پس از شروع تولید با فناوری پرریسک 7LPP، در رابطه با تولید انبوه Socهای خود اقدام میکنند.
نکتهی جالب ماجرا در این است که سامسونگ در حالی برای انجام این کار برنامهریزی میکند که بلاکهای IP فناوری 7LPP مورد نیاز چیپهای مختلف تنها در نیمهی ابتدایی سال ۲۰۱۹ آماده میشوند و به زبان دیگر این تکنولوژی تا زمان برنامهریزی شده آماده نخواهد بود. اما سامسونگ میتواند با کوچک کردن مقیاس تولید خود این تکنولوژی را برای Socهای خودش آماده کند و این کاملاً بستگی به این دارد که آنها بخواهند چه گوشی را برای نیمه اول سال ۲۰۱۹ به بازار عرضه کنند.
در سال گذشته سامسونگ اشاره کرده بود که آنها میخواهند در سال ۲۰۱۹ فناوری ساخت 7LPP خود را با فرآیندهای 5LPP و 6LPP جایگزین کنند، اما بر اساس نقشه راه جدید نه تنها خبری از این دو فناوری ساخت نیست، بلکه فرآیند ساخت 5LPE(5 nm low power early) جایگزین آنها شده است. سامسونگ با این کار وعدهی افزایش چگالی ترانزیستورها و کاهش شدید انرژی مصرفی را در مقایسه با فناوری ساخت 7LPP داده است. با این حال مشخص نشده است که سامسونگ در چه زمانی شروع به تولید محصولات مبتنی بر فناوری ساخت 5LPE خواهد کرد.
4LPE/4LPP همچنان از FinFET بهره خواهند برد
سامسونگ در نقشه راه جدید خود روی استفاده از تکنولوژیهای تولید پیشرفته و استفاده از آنان در سالهای پیش رو بسیار تاکید کرده است. این گونه به نظر میرسد که سامسونگ در نظر دارد به صورت بلندمدتی از طراحی FinFET در آرایش ترانزیستورهای خود در فرآیندهای تولید پیش روی خود استفاده کند. در سال گذشته بود که سامسونگ برای معرفی gate-all-round FET یا به اختصار GAAFET به همراه فرآیند ساخت 4LPP خود در سال ۲۰۲۰ برنامهریزی کرده و در نقشهي راه خود نیز به آن اشاره کرده بود.
حال بر اساس نقشه راه جدید، آنان به جای یک فناوری ساخت ۴ نانومتری، دو فناوری ساخت 4LPE و 4LPP در اختیار دارند که هر دوی آنها بر مبنای FinFET و طراحی آن بنا شدهاند. سامسونگ ادعا کرده است که فناوری ۴ نانومتری آنها میتواند مزیتهای بیشتری را در مقایسه با فناوری ساخت 5LPE فراهم کند ولی با این حال همچنان آنها هیچ توضیحی در مورد تفاوتهای کلیدی تکنولوژیها 4LPE، 4LPP و 5LPE خود نداده و صرفاً میتوان به آسان بودن مهاجرت از تکنولوژي ۵ نانومتری به ۴ نانومتری در این فرآیند پیبرد.
در رابطه با فناوری ساخت ۴ نانومتری سامسونگ باز هم این ابهام وجود دارد که آنها در چه زمانی برای تولید محصولات مبتنی بر این فناوری چه در مقیاس اولیه و چه در مقیاس انبوه اقدام خواهند کرد، اما طبق پیشبینیها اگر همه چیز مطابق میل آنها پیش برود، احتمالاً میتوانیم در سال ۲۰۲۰ منتظر تولید انبوه چیپهای مبتنی بر دو فناوری ۴ نانومتری سامسونگ باشیم.
استفادهی فناوری ساخت ۳ نانومتری از GAAFET
اما پیشرفتهترین فناروی ساختی که در هفتهی گذشته توسط سامسونگ معرفی شد، فناوریهای ساخت 3GAAE/GAAP یا به طور مفصلتر 3nm gate-all-around early/plus بودند. هر دوی این موارد حاکی از این دارند که سامسونگ توانسته فناوری ساخت GAAFET را در عمل پیادهسازی کند که البته این کمپانی به آن MBCFET یا multi-bridge-channel FETs میگوید. اما باز هم سامسونگ هیچ جزییاتی در این زمینه منتشر نکرده است و صرفاً میدانیم که تکنولوژی MBCFET از سال ۲۰۰۲ تا به الان در حال توسعه بوده و تقریباً پس از ۲۰ سال قرار است به نتیجه برسد.
با توجه به این که ما با فناوریهای ساخت 3GAAE/GAAP در حدود سه الی چهار نسل فاصله داریم، صحبت کردن در مورد میزان تاثیر آنها بر راندمان محصولات بسیار سخت است، اما با این حال میتوانیم با اطمینان از این صحبت کنیم که این فناوری قرار است نسل پنجم فناوری ساخت EUV را به کار گیرد و برای همین درصد موفقیت این فناوری در یکی دو سال آینده میتواند تاثیر زیادی روی تکنولوژیهای سالهای بعد سامسونگ داشته باشد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت