شرکت SK hynix از تکمیل توسعه فناوری حافظه فلش 4D NAND با تراشه 176 لایه (بیشترین تعداد لایه) از نوع TCL و ظرفیت 512 گیگابیت خبر داد. این شرکت ماه گذشته نمونه‌ها را برای تولید یک محصول تجاری در اختیار تولیدکنندگان کنترلر قرار داد.

هاینیکس که یکی از قدیمی‌ترین و معتبرترین شرکت‌های ساخت تراشه در سطح دنیاست چندی پیش از تلاش‌های خود برای ارتقای قابل توجه فناوری‌های مورد استفاده در حافظه‌های سه بعدی در دنیای موبایل خبر داد.

در همین راستا این شرکت خوش‌نام کره‌ای عرضه سری محصولات جدید خود با فناوری 4D 176 Layer NAND را در ابتدا با ارائه محصولات تجاری مربوط به گوشی‌های هوشمند و در اواسط سال آینده آغاز خواهد کرد.

این حافظه حداکثر سرعت خواندن را 70 درصد و حداکثر سرعت نوشتن را تا 35 درصد بهبود خواهد بخشید. SK hynix در ادامه این مسیر مهم، علاوه برای دنیای حافظه‌های دستگاه‌های همراه، قصد دارد تولید حافظه‌های SSD با مصارف کاربری عادی و سازمانی را به شکلی مداوم در بازار محصولات خود گسترش دهد.

با افزایش تعداد لایه‌ها در حافظه فلش NAND به علت عدم انطباق بخش‌های پشته دوگانه (Dual Stacks) مشکلاتی مانند کاهش جریان سلول حافظه، تاب‌خوردگی حفره کانال و خرابی توزیع سلول اتفاق میفتد.

در توضیح روش دسترسی به این فناوری اعلام شده که هاینیکس، با استفاده از فناوری‌های نوآورانه مانند کاهش ارتفاع میان دو لایه سلول، کنترل زمان‌بندی متغیر لایه و ترازبندی فوق دقیق این چالش‌ها را پشت سر گذاشت و موفق به توسعه و ساخت حافظه‌های فلش Nand رده بالای 176 لایه‌ای شده است.

4DNandinside195159.jpg

این شرکت همچنین قصد دارد تا به وسیله تولید محصولات با ظرفیت دو برابر یعنی 1 ترابیت مبتنی بر این حافظه، رقابت خود را در تجارت حافظه‌های فلش Nand افزایش دهد.

یونگ دال چوی، مدیر بخش توسعه حافظه‌های Nand در Sky hynix در مصاحبه‌ای پیرامون توضیح این فناوری اعلام کرده است:

صنایع حافظه‌های فلش  NANDدر تلاش هستند تا فناوری‌های موجود را برای رسیدن به یکپارچه‌سازی بالا و حداکثر بهره‌وری بهبود بخشند؛ شرکت SK hynix به عنوان پیشگام حافظه‌های  4D Nand، بازار این حافظه را با بالاترین بهره‌وری و پیشرفته‌ترین فناوری هدایت خواهد کرد.

با توجه به گزارش موسسه اطلاعات آماری Omdia، بازار حافظه فلش NAND با 33.4 درصد نرخ رشد ترکیبی سالانه، از 431.8 بیلیون گیگابایت در سال 2020 به 1.366 تریلیون گیگابایت در سال 2024 گسترش خواهد یافت و مسلماً این افزایش ظرفیت، فرصت مناسبی برای شرکت‌هایی مانند هاینیکس و سامسونگ پدید خواهد آورد تا بتوانند علاوه بر رقابت بیشتر، به توسعه روزافزون فناوری و در اختیار قرار دادن حافظه‌های سریعتر و ارزان‌تر بپردازند.

نظر خود را اضافه کنید.

ارسال نظر بدون عضویت در سایت

0

نظرات (1)

  • مهمان - عباس

    جالبه که چندوقت پیش میکرون فناوری 176 لایه رو به تولید انبوه رسوند ولی شما پوشش ندادید.قبلشم که میکرون اولین حافظه DDR5رو(حتی قبل از سامسونگ)تولید کرد اصلا پوشش ندادید

ورود به شهرسخت‌افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار
ورود به شهر سخت افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار

نام و نام خانوادگی(*)
لطفا نام خود را وارد کنید

ایمیل(*)
لطفا ایمیل خود را به درستی وارد کنید

رمز عبور(*)
لطفا رمز عبور خود را وارد کنید

شماره موبایل
Invalid Input

جزو کدام دسته از اشخاص هستید؟(*)

لطفا یکی از موارد را انتخاب کنید